[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201811552330.6
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN110010604A
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 金平浩;具省模;尹國漢;金基烈;金容煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底的整個表面上順序地形成模層、支撐層和掩模圖案，所述襯底具有由核心區域限定的單元區域，并且下導電結構和與所述下導電結構接觸的至少一個互連件位于所述襯底的在所述模層下面的單元區域上；

通過使用所述掩模圖案作為刻蝕掩模的刻蝕處理來部分地去除所述支撐層和所述模層，以形成模制圖案和所述模制圖案上的支撐圖案，使得接觸孔穿過所述支撐圖案和所述模制圖案而形成，從而暴露所述單元區域中的所述至少一個互連件；

在所述掩模圖案上形成下電極層，以填充所述接觸孔；

通過部分地去除所述下電極層并去除所述掩模圖案來形成所述接觸孔中的電容器的下電極，使得所述下電極由所述支撐圖案支撐并且與所述互連件接觸，所述支撐圖案具有與所述支撐層相同的厚度。

2.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述下電極包括：

通過干回蝕處理從所述襯底部分地去除所述下電極層和所述掩模圖案的方式，來形成所述接觸孔中的電極圖案和所述支撐圖案上的殘留掩模；以及

通過自由基干洗處理從所述支撐圖案去除所述殘留掩模，從而暴露所述支撐圖案，并將所述電極圖案形成為所述接觸孔中的下電極。

3.如權利要求2所述的方法，其中，所述電極圖案形成為高于所述支撐圖案并且低于所述殘留掩模。

4.如權利要求3所述的方法，其中，通過使用低過氧化物硫酸-過氧化氫混合物作為刻蝕劑的濕刻蝕處理來進一步去除所述電極圖案。

5.如權利要求2所述的方法，其中，所述電極圖案形成為等于或高于所述支撐圖案。

6.如權利要求5所述的方法，在從所述襯底去除所述殘留掩模之后，所述方法還包括：

通過化學機械拋光處理對比所述支撐圖案高的電極圖案平坦化，直到使所述電極圖案與所述支撐圖案共面為止。

7.如權利要求2所述的方法，其中，形成所述電極圖案和所述殘留掩模包括：

通過干回蝕處理從所述襯底部分地去除所述下電極層和所述掩模圖案并且在所述第一電極圖案的頂表面上形成至少一個凹陷的方式，來形成所述接觸孔中的第一電極圖案和所述支撐圖案上的初步殘留掩模；

在所述第一電極圖案和所述初步殘留掩模上形成附加導電層，使得所述至少一個凹陷被所述附加導電層填充；以及

通過干回蝕處理，形成所述接觸孔中的第二電極圖案和所述支撐圖案上的所述殘留掩模，使得所述附加導電層和所述初步殘留掩模從所述襯底被部分地去除，并且所述第一電極圖案和填充所述至少一個凹陷的所述第二電極圖案構成所述電極圖案。

8.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述接觸孔中的下電極包括：

通過濕刻蝕處理來部分地去除所述下電極層，使得所述下電極層被所述接觸孔分開，從而在所述接觸孔中形成電極圖案，同時所述支撐圖案被所述掩模圖案覆蓋；以及

通過自由基干洗處理從所述支撐圖案上去除所述掩模圖案。

9.如權利要求8所述的方法，其中，通過使用低過氧化物硫酸-過氧化氫混合物作為刻蝕劑來執行濕刻蝕處理。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述電極圖案形成為等于或高于所述支撐圖案。

11.如權利要求10所述的方法，在從所述襯底去除所述掩模圖案之后，該方法還包括：

通過化學機械拋光處理對比所述支撐圖案高的電極圖案平坦化，直到使所述電極圖案與所述支撐圖案共面為止。

12.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述接觸孔中的下電極包括：

通過對所述下電極層和所述掩模圖案平坦化，同時形成所述接觸孔中的初步電極圖案和所述支撐圖案上的殘留掩模，使得所述初步電極圖案的上表面與所述殘留掩模的上表面共面；以及

從所述支撐圖案去除所述殘留掩模以暴露所述支撐圖案。