[發明專利]全屏顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 201811551313.0 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109616506A | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 李雪;孫亮;曾勉;王碩晟 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;程曉 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 抗裂 全屏顯示 開孔 陣列基板 切割 薄膜封裝層 擋墻 無機絕緣層 結構優化 裂紋延伸 上下表面 外圍區域 無機膜層 功能層 多層 溝道 挖出 制程 填充 制作 對開 外圍 阻擋 貫穿 | ||
本發明提供一種全屏顯示面板及其制作方法。本發明的全屏顯示面板包括陣列基板、OLED功能層及薄膜封裝層,所述全屏顯示面板內設有通過切割形成的貫穿其上下表面的開孔,所述陣列基板在所述開孔外圍向該開孔由遠及近依次設有一圈第一擋墻、一圈第二擋墻及一圈主抗裂結構,所述主抗裂結構包括設置在所述多層無機絕緣層挖出的抗裂溝道及對應填充抗裂溝通的有機抗裂條,本發明通過對開孔的切割外圍區域進行結構優化,可阻擋由開孔的切割制程引起的陣列基板及薄膜封裝層中無機膜層的裂紋延伸。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種柔性全屏顯示面板及其制作方法。
背景技術
在平板顯示技術中,有機電致發光(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器具有輕薄、主動發光、響應速度快、可視角大、色域寬、亮度高、功耗低及可制備柔性屏等諸多優異特性,引起了科研界和產業界極大的興趣,逐漸成為繼液晶顯示器(Liquidcrystal displays,LCD)后的第三代顯示技術。
現如今“全面屏”的設計成為時代的主流,各供應商單位都專注于研發屏占比較高的全面屏產品。例如iPhone X手機采用的異形(Notch)屏設計,屏占比可達到81.15%。近期興起的屏下攝像頭設計即O型切割(O-Cut)屏設計,在顯示屏(Panel)內切割出“O”形槽,用于放置攝像頭,與Notch設計相比,O-Cut設計更趨近于全面屏效果,O-Cut區域的大小,僅考慮前置攝像頭即可,因此,O-Cut區域遠小于Notch區域所占整個Panel的比例,O-Cut設計的全面屏優勢更為明顯,因此在手機顯示屏幕市場占有很大的優勢。
O-Cut設計雖然更趨近于全面屏,但也面臨技術難題,且在OLED柔性顯示器(Flexible display)中實現O-Cut設計,顯得尤為困難。目前,對于OLED面板的制作大致按照如下步驟進行:首先制作形成柔性襯底基板,然后在柔性襯底基板上依次制作形成薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列(Array)層、OLED層及薄膜封裝層,最后進行O-Cutting制程,利用激光(Laser)進行切割開孔,在Panel的有效顯示(Active Area,AA)區部分,切割掉“O”形區域,形成用于放置攝像頭的“O”形槽。對于O-Cut區域,雖然Array段的器件及走線等可以進行避讓,但在OLED制程中,空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層等是利用開放式掩膜板(OpenMask)蒸鍍生成,在對O-Cut區域進行切割后,OLED有機層會在切割面外露,此時水汽就會從該位置浸入,從而使Panel失去功能性,并由于TFT陣列層及薄膜封裝層中無機膜層的物理特性,這些無機膜層很容易在O-Cutting制程中發生破裂(Crack)并產生裂紋延伸的現象,進而后續影響Panel的信賴性。
發明內容
本發明的目的在于提供一種全屏顯示面板,開孔的切割外圍區域設有擋墻及抗裂結構,可阻擋無機膜層在切割制程中產生的裂紋延伸。
本發明的目的還在于提供一種全屏顯示面板的制作方法,通過對切割區域進行外圍結構優化設計,可阻擋無機膜層在切割制程中產生的裂紋延伸。
為實現上述目的,本發明提供一種全屏顯示面板,包括陣列基板、設于所述陣列基板上的OLED功能層及在所述陣列基板上覆蓋所述OLED功能層的薄膜封裝層;
所述全屏顯示面板內設有通過切割形成的貫穿其上下表面的開孔;
所述陣列基板包括多層無機絕緣層、設于多層無機絕緣層上的多層有機層及設于無機絕緣層與有機層之間的多層金屬層;
所述陣列基板在所述開孔外圍向該開孔由遠及近依次設有一圈第一擋墻、一圈第二擋墻及一圈主抗裂結構;
所述主抗裂結構包括設置在所述多層無機絕緣層的抗裂溝道及對應填充抗裂溝通的有機抗裂條所組成;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





