[發(fā)明專利]全屏顯示面板及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811551313.0 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109616506A | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李雪;孫亮;曾勉;王碩晟 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂;程曉 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抗裂 全屏顯示 開孔 陣列基板 切割 薄膜封裝層 擋墻 無機(jī)絕緣層 結(jié)構(gòu)優(yōu)化 裂紋延伸 上下表面 外圍區(qū)域 無機(jī)膜層 功能層 多層 溝道 挖出 制程 填充 制作 對開 外圍 阻擋 貫穿 | ||
1.一種全屏顯示面板,其特征在于,包括陣列基板(1)、設(shè)于所述陣列基板(1)上的OLED功能層(2)及在所述陣列基板(1)上覆蓋所述OLED功能層(2)的薄膜封裝層(3);
所述全屏顯示面板內(nèi)設(shè)有通過切割形成的貫穿其上下表面的開孔(5);
所述陣列基板(1)包括多層無機(jī)絕緣層(11)、設(shè)于多層無機(jī)絕緣層(11)上的多層有機(jī)層(12)及設(shè)于無機(jī)絕緣層(11)與有機(jī)層(12)之間的多層金屬層(13);
所述陣列基板(1)在所述開孔(5)外圍向該開孔(5)由遠(yuǎn)及近依次設(shè)有一圈第一擋墻(10)、一圈第二擋墻(20)及一圈主抗裂結(jié)構(gòu)(30);
所述主抗裂結(jié)構(gòu)(30)包括設(shè)置在所述多層無機(jī)絕緣層(11)挖出的抗裂溝道(35)及對應(yīng)填充抗裂溝通(35)的有機(jī)抗裂條(36);
所述第一擋墻(10)、第二擋墻(20)及有機(jī)抗裂條(30)由所述陣列基板(1)的有機(jī)層(12)形成。
2.如權(quán)利要求1所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述第二擋墻(20)與所述開孔(5)之間的距離大于等于350μm;
所述第二擋墻(20)的高度大于所述第一擋墻(10)的高度。
3.如權(quán)利要求1所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述陣列基板(1)在對應(yīng)所述開孔(5)與第二擋墻(20)之間的區(qū)域在所述主抗裂結(jié)構(gòu)(30)兩側(cè)分別設(shè)有一條或多條的環(huán)繞所述開孔(5)的金屬繞線(40);
所述金屬繞線(40)由所述陣列基板(1)的金屬層(13)形成。
4.如權(quán)利要求1所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述陣列基板(1)在對應(yīng)所述開孔(5)與所述抗裂結(jié)構(gòu)(30)之間的區(qū)域還設(shè)有一圈或多圈輔助抗裂結(jié)構(gòu)(50);
所述輔助抗裂結(jié)構(gòu)(50)包括設(shè)置在所述多層無機(jī)絕緣層(11)挖出的抗裂狹縫(55)及對應(yīng)填充抗裂狹縫(55)的有機(jī)抗裂繞線(56);
所述有機(jī)抗裂繞線(56)由所述陣列基板(1)的有機(jī)層(12)形成。
5.如權(quán)利要求4所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述多層無機(jī)絕緣層(11)包括緩沖層、柵極絕緣層及層間絕緣層;
所述多層有機(jī)層(12)包括由下至上依次設(shè)置的平坦層、像素定義層及隔墊物層;
所述第一擋墻(10)由所述平坦層及像素定義層形成;
所述第二擋墻(20)由所述平坦層、像素定義層及隔墊物層形成;
所述有機(jī)抗裂條(30)及有機(jī)抗裂繞線(56)由所述平坦層形成。
6.如權(quán)利要求1所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述抗裂溝道(35)內(nèi)設(shè)有一間隔條,所述抗裂溝道(35)在其縱切面內(nèi)呈倒置m形;
在所述主抗裂結(jié)構(gòu)(30)的縱切面內(nèi),所述有機(jī)抗裂條(30)底部以牙根的形狀嵌入所述抗裂溝道(35)內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的全屏顯示面板,其特征在于,所述多層金屬層(13)包括柵極金屬層及源漏極金屬層;
所述金屬繞線(40)由所述柵極金屬層或源漏極金屬層形成,或由柵極金屬層與源漏極金屬層共同形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





