[發明專利]腔室進氣結構以及反應腔室在審
| 申請號: | 201811550798.1 | 申請日: | 2018-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN109637952A | 公開(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發明(設計)人: | 徐剛;張軍;鄭波;馬振國 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人: | 巴曉艷 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反應氣體 進氣結構 混合腔 腔室 反應腔室 進入腔 反應氣體通道 混合氣體通道 連接件裝置 噴氣盤 室內 擴散均勻性 混合氣體 氣體通過 直接反應 噴氣板 勻流板 種腔室 硅片 上蓋 | ||
1.一種腔室進氣結構,其特征在于,包括:
設置在腔室上蓋上的連接件裝置和設置在腔室內的噴氣盤;所述連接件裝置設置有第一混合腔、與所述第一混合腔相連通的第一混合氣體通道、第一反應氣體通道;所述噴氣盤設置有第二混合腔、與所述第二混合腔相連通的第二反應氣體通道、第二混合氣體通道;所述第一混合氣體通道與所述第一反應氣體通道相互隔離,所述第二混合氣體通道和所述第二反應氣體通道相互隔離;多種不反應氣體在所述第一混合腔中進行混合,混合氣體通過所述第一混合氣體通道、所述第二混合氣體通道進入腔室內;反應氣體通過所述第一反應氣體通道、所述第二反應氣體通道并經過所述第二混合腔進入腔室內,與所述混合氣體進行反應;其中,所述第一混合氣體通道及所述第一反應氣體通道關于所述噴氣盤的軸線中心對稱設置。
2.如權利要求1所述的腔室進氣結構,其特征在于,包括:
勻流板;所述勻流板設置在腔室內并且位于所述噴氣盤的上方;所述勻流板設置有相互隔離的第三混合氣體通道和第三反應氣體通道;其中,混合氣體經過所述第一混合氣體通道、所述第三混合氣體通道和第二混合氣體通道進入腔室內;反應氣體經過所述第一反應氣體通道、所述第三反應氣體通道、所述第二混合腔和所述第二反應氣體通道進入腔室內。
3.如權利要求2所述的腔室進氣結構,其特征在于,
所述噴氣盤包括:上板和下板;所述上板和所述下板固定連接;所述下板設置有多排同心的環狀的凸臺,在所述凸臺上設置有第一通孔,在位于所述凸臺之間的環狀的凹槽內設置有第二通孔,所述下板設置有用于連通所述凹槽的多條呈中心放射狀的氣道;所述上板、所述凹槽和所述氣道圍成所述第二混合腔;在所述上板設置有與所述第二混合腔相連通的第三通孔以及與所述第一通孔對應設置的第四通孔;其中,所述第二混合氣體通道包括:所述第四通孔、所述第一通孔;所述第二反應氣體通道包括:所述第三通孔、所述第二通孔。
4.如權利要求3所述的腔室進氣結構,其特征在于,
多個所述第一通孔在所述凸臺上均勻分布;多個所述第二通孔在所述凹槽內均勻分布。
5.如權利要求3所述的腔室進氣結構,其特征在于,
在所述勻流板設置有與所述第三通孔對應的第五通孔、與所述第四通孔對應的第六通孔;其中,所述第三混合氣體通道包括:所述第六通孔;所述第三反應氣體通道包括:所述第五通孔。
6.如權利要求5所述的腔室進氣結構,其特征在于,
多個所述第六通孔為均勻分布。
7.如權利要求5所述的腔室進氣結構,其特征在于,
所述連接件裝置包括:第一連接件和第二連接件;所述第一連接件設置在所述第二連接件的上方,第一連接件和第二連接件固定連接;所述第一連接件的底部設置有中心凹槽,所述中心凹槽與所述第二連接件的頂部圍成所述第一混合腔;所述第一連接件設置有與所述中心凹槽連通的用于輸入所述多種不反應氣體的第一進氣孔,所述第二連接件設置有與所述第一混合腔相連通的第七通孔;所述第二連接件的側面設置有用于輸入所述反應氣體的第二進氣孔;其中,所述第一混合氣體通道包括:所述第七通孔;所述第一反應氣體通道包括:第二進氣孔。
8.如權利要求7所述的腔室進氣結構,其特征在于,
所述連接件裝置包括:第三連接件;所述第三連接件設置在所述第二連接件的下方,所述第三連接件分別與所述第二連接件和所述腔室上蓋固定連接;在所述第三連接件與所述勻流板之間設置有空腔,所述第三連接件設置有與所述空腔相連通的第八通孔,所述第六通孔與所述空腔相連通;所述第三連接件設置有與所述第五通孔相對應的第九通孔;其中,所述第一混合氣體通道包括:所述第八通孔;所述第一反應氣體通道包括:第九通孔。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





