[發明專利]一種提高鉬及其合金濺射靶材晶粒均勻性的方法

有效

• 申請號: 201811548241.4
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109355632B
• 公開（公告）日: 2020-10-20
• 發明（設計）人: 李慶奎;楊凱軍;吳小超;劉振新;盧小凱
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22F1/18;C22F1/02;C22C1/04
• 代理公司: 鄭州聯科專利事務所(普通合伙) 41104
• 代理人: 時立新;楊海霞

1.一種提高鉬及其合金濺射靶材晶粒均勻性的方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）將費氏粒度為2.0-4.5μm的鉬粉進行球磨、分級使得鉬粉中1μm以下顆粒含量在5%以下，0.5μm以下顆粒含量在1%以下，然后與費氏粒度5-20μm的合金粉混合均勻得到混合粉；

2）將混合粉冷等靜壓壓制成形，得到壓制板坯，壓制壓力1.5-3.0噸/cm²；

3）將壓制板坯于1750-2150℃燒結保溫2-8小時得到燒結坯；

4）將燒結坯軋制變形得到軋制坯，開坯溫度為1350-1500℃，終軋溫度為1100-1400℃；

5）軋制坯在真空或氫氣氣氛中于1050-1250℃退火處理1-4小時，即獲得濺射靶材；

步驟1）中，所述合金粉為鉭、鈮和鈦中的一種或多種；球磨時，在球磨機中球磨4-8h；

采用球磨-分級聯合處理措施，使鉬粉還原過程中微細粉形成的硬團聚充分打開，在此基礎上進行分級，得到基本不含微細粉、顆粒分布均勻的鉬粉用于制備鉬及其合金濺射靶材，保障燒結坯各微區內的晶粒均勻性；

步驟3）中燒結時，燒結溫度1500℃以下采用微波加熱，大于1500℃采用電阻或中頻感應燒結，燒結氣氛為真空或氫氣氣氛。

2.如權利要求1所述提高鉬及其合金濺射靶材晶粒均勻性的方法，步驟1）中，以質量之和100%計，鉬粉85-100%，合金粉0-15%。

3.如權利要求1所述提高鉬及其合金濺射靶材晶粒均勻性的方法，步驟4）中，燒結坯軋制總變形量在40%以上，軋制各道次變形量在8-30%之間。