[發明專利]蒸鍍設備與蒸鍍制作工藝

在審

• 申請號: 201811547766.6
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN111334773A
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 許祐霖;黃國興;林建宏;宋兆峰
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56;C23C14/04;C23C14/24;C23C14/54;C23C14/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種蒸鍍設備與蒸鍍制作工藝。所述蒸鍍設備包括卷對卷基板傳送裝置、蒸鍍裝置以及掩模裝置。所述卷對卷基板傳送裝置用以傳送基板。所述蒸鍍裝置與所述卷對卷基板傳送裝置相對設置。所述掩模裝置設置于所述卷對卷基板傳送裝置與所述蒸鍍裝置之間，且位于所述蒸鍍裝置上方，其中所述掩模裝置具有多個可調式開孔，所述可調式開孔經調整以控制其在所述蒸鍍裝置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面積。所述蒸鍍裝置產生的蒸鍍氣體穿過所述可調式開孔而到達所述基板。

技術領域

本發明涉及一種蒸鍍設備與蒸鍍制作工藝。

背景技術

沉積方法廣泛地用于特定電子元件的形成中。舉例而言，化學氣相沉積或物理氣相沉積是用于形成不同元件的傳統沉積方法，其中蒸鍍制作工藝是一種廣泛應用的物理氣相沉積技術。

在形成薄膜時，膜的厚度及沉積速率需要精確。對于蒸鍍制作工藝來說，當基板以卷對卷基板傳送裝置傳送時，由于卷對卷基板傳送為連續的，因此并無法以蒸鍍的時間作為控制形成于基板上的膜層的厚度以及摻雜濃度的手段。

發明內容

本發明的蒸鍍設備包括卷對卷基板傳送裝置、蒸鍍裝置以及掩模裝置。所述卷對卷基板傳送裝置用以傳送基板。所述蒸鍍裝置與所述卷對卷基板傳送裝置相對設置。所述掩模裝置設置于所述卷對卷基板傳送裝置與所述蒸鍍裝置之間，且位于所述蒸鍍裝置上方，其中所述掩模裝置具有多個可調式開孔，所述可調式開孔經調整以控制其在所述蒸鍍裝置至所述基板的方向上投影至所述基板的投影面積。所述蒸鍍裝置產生的蒸鍍氣體穿過所述可調式開孔而到達所述基板。

本發明的蒸鍍制作工藝包括以下步驟：提供上述的蒸鍍設備；以所述卷對卷基板傳送裝置傳送基板；以所述蒸鍍裝置對所述基板進行蒸鍍處理；在所述蒸鍍處理中，調整所述可調式開孔，以控制所述蒸鍍制作工藝的鍍率。

基于上述，本發明在蒸鍍裝置上設置有掩模裝置且掩模裝置具有多個可調式開孔。當欲調整蒸鍍制作工藝的鍍率時，通過調整可調式開孔，可控制可調式開孔投影至基板的投影面積，以即時調整蒸鍍制作工藝的鍍率而不需使蒸鍍制作工藝中止。亦即，本發明的蒸鍍制作工藝可為連續制作工藝，因此可有效地縮短制作工藝時間以及降低制作工藝復雜度。

為讓本發明的上述特征能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本發明實施例的蒸鍍設備的示意圖；

圖2為本發明實施例的掩模裝置的示意圖；

圖3A與圖3B各自為本發明不同實施例的掩模裝置的葉片示意圖；

圖4A與圖4B為本發明另一實施例的掩模裝置的示意圖；

圖5為本發明另一實施例的蒸鍍設備的示意圖；

圖6為本發明另一實施例的蒸鍍設備的示意圖；

圖7為本發明實施例的蒸鍍制作工藝的流程示意圖；

圖8為本發明另一實施例的蒸鍍設備的示意圖。

具體實施方式

圖1為依照本發明實施例的蒸鍍設備的示意圖。請參照圖1，蒸鍍設備10包括卷對卷基板傳送裝置100、蒸鍍裝置102以及掩模裝置104。此外，蒸鍍設備10還可包括鍍率監測裝置106。以下將對此作詳細說明。

卷對卷基板傳送裝置100用以傳送基板108。卷對卷基板傳送裝置100可以是任何形式的卷對卷傳送裝置，并不限于圖1中所繪示的形式。基板108可以是待于其上形成膜層的任何軟性基板。基于卷對卷傳送裝置的特性，以本發明實施例的蒸鍍設備10所進行的蒸鍍制作工藝屬于連續制作工藝，因此并無法以蒸鍍的時間作為控制形成于基板108上的膜層的厚度以及摻雜濃度的手段。