[發(fā)明專利]一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811546717.0
• 申請日: 2018-12-18
• 公開（公告）號: CN109638110A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設計）人: 王紅娟;費存勇;趙福祥;崔鐘亨
• 申請（專利權）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi)

1.一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：對單晶硅片進行清洗制絨后經擴散形成PN結；將具有PN結的所述硅片背面拋光，去除磷硅玻璃及邊緣刻蝕；之后先在硅片的背面沉積Al₂O₃鈍化層，再在Al₂O₃鈍化層上沉積SiNx鈍化膜，所述SiNx鈍化膜為多層結構；在所述硅片的正面沉積SiNx減反膜后在硅片的背面激光局部開口，并絲網印刷、燒結；多層結構SiNx鈍化膜中靠近所述Al₂O₃鈍化層的SiNx鈍化膜的折射率高于遠離所述Al₂O₃鈍化層的SiNx鈍化膜的折射率。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述Al₂O₃鈍化層的沉積溫度為200~300℃。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述Al₂O₃鈍化層的沉積厚度為10~20nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述SiNx鈍化膜的沉積溫度為400~600℃。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，多層結構的所述SiNx鈍化膜的總厚度為75~80nm，多層結構的所述SiNx鈍化膜的總折射率為2.10~2.13。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述SiNx鈍化膜大于等于三層。

7.根據(jù)權利要求6所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，所述SiNx鈍化膜為三層結構。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，第一層所述SiNx鈍化膜厚為20~50nm，折射率n1為2.2~2.3，氣體流量SiH₄為2000~3000sccm，NH₃為10500sccm~11500sccm，壓力為1800mtorr，射頻功率為5kW~9kW。

9.根據(jù)權利要求8所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，第二層所述SiNx鈍化膜厚為20~50nm，折射率n2為2.1~2.2，氣體流量SiH₄為1500~2500sccm，NH₃為11500sccm~12500sccm，壓力為1800mtorr，射頻功率為5kW~9kW。

10.根據(jù)權利要求9所述的一種基于雙面PERC電池片背面SiNx多層膜結構的制備方法，其特征在于，第三層所述SiNx鈍化膜厚為20~50nm，折射率n3為2.0~2.1，氣體流量SiH₄為600~1600sccm，NH₃為12000sccm~13000sccm，壓力為1800mtorr，射頻功率為5kW~9kW。