[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201811542542.6 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN111326440B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 童瑞發;宋香怡 | 申請(專利權)人: | 辛耘企業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355 | 代理人: | 張雅軍;秦小耕 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
一種基板處理裝置,包含基板承載單元、流體供應單元及控制單元。該基板承載單元包括旋轉臺以供設置基板。該流體供應單元包括至少一噴嘴,對應該旋轉臺設置且可受控地在通過該旋轉臺中心的路徑范圍內移動以供應處理液。該控制單元與該流體供應單元耦接并包括人機界面且存儲控制程序。該人機界面具有噴嘴控制區塊以供操作者輸入控制指令,且該控制單元接收該控制指令并由該控制程序對應該控制指令控制該噴嘴。該控制單元可供該操作者設定變更控制該噴嘴的參數,可大幅提高該基板處理裝置運作的彈性。
技術領域
本發明涉及一種基板處理裝置,特別是涉及一種以程序控制噴嘴的基板處理裝置。
背景技術
在半導體制程中,常會運用基板處理裝置對基板進行蝕刻或清洗。在對基板進行蝕刻或清洗時,需利用噴嘴對基板供應處理液,且噴嘴需相對基板移動以使處理液能夠均勻分布于基板的表面。現有的基板處理裝置中,噴嘴的移動速度是通過機械式的固定機構控制。例如以一控制圓盤控制一噴嘴的移動速度,該控制圓盤在360度范圍內均分12格以對應在一基板表面的路徑范圍劃分12等份,該噴嘴移動范圍對應該基板的路徑范圍。當需要改變該噴嘴的移動速度或是移動范圍時,需要重新設計制作新的控制盤以對應所欲改變的該噴嘴的移動速度或是移動范圍,如此使得基板處理裝置的運作彈性大幅降低。
發明內容
本發明的其中一目的,在提供可避免背景技術的至少一種上述缺點的基板處理裝置。
本發明的基板處理裝置在一些實施態樣中,是包含基板承載單元、流體供應單元及控制單元。該基板承載單元包括旋轉臺以供設置基板。該流體供應單元包括至少一噴嘴,對應該旋轉臺設置且可受控地在通過該旋轉臺中心的路徑范圍內移動以供應處理液。該控制單元與該流體供應單元耦接并包括人機界面且存儲控制程序。該人機界面具有噴嘴控制區塊以供操作者輸入控制指令,且該控制單元接收該控制指令并由該控制程序對應該控制指令控制該噴嘴。
在一些實施態樣中,該控制程序預設對應該路徑范圍內有N個等距連續分布的區段,其中N不小于10,該控制指令包括選擇該N個區段的其中兩個以作為該噴嘴移動范圍的端點區段,而使該控制程序控制該噴嘴相對于該旋轉臺在對應該兩端點區段的位置之間移動。
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定該兩端點區段范圍內對應各區段的該噴嘴的移動速度,而使該控制程序控制該噴嘴位于對應各區段位置時相對于該旋轉臺的移動速度。
在一些實施態樣中,該控制指令還包括設定該兩端點區段范圍內對應各區段的流體供應量,而使該控制程序控制該噴嘴位于對應各區段位置時噴出的處理液對應該流體供應量。
在一些實施態樣中,該噴嘴控制區塊顯示直角坐標畫面,該直角坐標畫面具有第一坐標軸及第二坐標軸,該第一坐標軸對應所述N個區段的位置,且該第二坐標軸對應該噴嘴的移動速度,該人機界面具有輸入模式以供該操作者在該直角坐標畫面上選擇對應該兩端點區段范圍內的多個坐標位置以產生該控制指令,而使該控制指令包括對應所述坐標位置的參數。
在一些實施態樣中,該噴嘴控制區塊顯示直角坐標畫面,該直角坐標畫面具有第一坐標軸及第二坐標軸,該第一坐標軸對應所述N個區段的位置,且該第二坐標軸對應該噴嘴的流體供應量,該人機界面具有輸入模式以供該操作者在該直角坐標畫面上選擇對應該兩端點區段范圍內的多個坐標位置以產生該控制指令,而使該控制指令包括對應所述坐標位置的參數。
在一些實施態樣中,該輸入模式供該操作者在該直角坐標畫面上以訊號觸發的判斷方式連續選擇所述坐標位置以產生該控制指令。
在一些實施態樣中,該輸入模式供該操作者在該直角坐標畫面上選擇對應該兩端點區段范圍內相鄰其中一端點區段的一半范圍的坐標位置且由該輸入模式以呈鏡射對稱圖形的方式自動選擇相鄰其中另一端點區段的一半范圍的坐標位置以產生該控制指令。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





