[發明專利]一種電路板及載板的結構與封裝體制造方法在審
| 申請號: | 201811541707.8 | 申請日: | 2018-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN109982502A | 公開(公告)日: | 2019-07-05 |
| 發明(設計)人: | 王忠寶 | 申請(專利權)人: | 王忠寶 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K1/18 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴 |
| 地址: | 中國臺灣臺中市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防焊層 開孔 載板 電路板 預留 封裝體 表面接合 載板下表面 結構剛性 制作過程 貫穿狀 蝕刻液 折斷 板結 電連 移除 制造 電路 攻擊 通用 貫穿 | ||
本發明提供了一電路板結合一載板而組成的結構及封裝體的制造方法,其中,電路板至少具有有線路及防焊層,載板至少具有一組件,防焊層可具有與線路相對應設置的預留開孔(或貫穿狀開孔),該預留開孔將在封裝體的制作過程中移除,使線路可供對外電連通用,防焊層的一表面與線路一表面接合,另一表面與載板一表面接合,其中,由于載板下表面可設有防焊層,并使防焊層介于線路與載板之間,且可依需求,令防焊層具有預留開孔,此預留開孔是由防焊層的一部分組成,據此,令預留開孔不貫穿防焊層,從而,可避免本發明電路板的線路被蝕刻液攻擊而造成損壞,并能提升此電路板及載板的結構剛性,以避免造成彎曲及/或折斷的損壞。
技術領域
本發明涉及電學技術領域,更具體地說,涉及一種電路板及載板的結構與封裝體制造方法,尤其是指供半導體芯片及/或封裝體用的電路板及載板的結構與封裝體制造方法。
背景技術
如圖14-1~圖14-4所示,是現有技術封裝體1A的制造方法,說明如后:如圖14-1所示的現有技術封裝體1A制造方法剖面圖,首先,提供現有技術的電路板5A及可分拆的(detach)載板(carrier)8K,其中,電路板5A包括絕緣體4H及可供電性傳輸的線路35,絕緣體4H具有上表面41、下表面42及通孔(via)44,線路35具有上表面31、下表面32及側邊33,線路35設位于絕緣體4H下表面42,且下表面32及側邊33與絕緣體4H接合,其中,下表面32裸露于通孔44的部分為接點(terminal)324,用以供對外電連通用,上表面31裸露于絕緣體4H下表面42,絕緣體4H厚度T是由上表面41與線路35下表面32間的厚度T4,以及線路35的厚度T3組成,線路35厚度T3是介于15~30微米(μm)間;該載板8K是由銅箔基板(copper cladlaminate)8A、固化膠(prepreg)8B及可分拆銅箔8C組成,該銅箔基板8A是由二銅箔8A1及黏著膠8A2組成,此黏著膠8A2是由固化膠或其他適用的黏著膠組成,其中,黏著膠8A2是將該二銅箔8A1接合在一起,并令此黏著膠8A2介于二銅箔8A1之間,而該可分拆銅箔8C可由二銅箔及一薄膜層(未繪示)組成,薄膜層將二銅箔接合在一起,并令薄膜層是介于二銅箔之間,其中,令該與薄膜層接合的一銅箔為接合層8C1,并令該另一與薄膜層接合的銅箔為分拆層8C2,且該分拆層8C2藉由固化膠8B與銅箔基板8A結合在一起,此接合層8C1及分拆層8C2可由銅層(copper layer)及/或其他適用的金屬層組成,載板8K設位在電路板5A絕緣體4H下表面42,并藉接合層8C1與電路板5A的絕緣體4H下表面42結合在一起,使線路35上表面31不裸露于大氣中,接著,提供芯片(chip)20及為導線的導電件18,其中,先將芯片20設位在絕緣體4H上表面41,再藉導電件18分別與芯片20端點24及線路35接點324接合,使芯片20與電路板5A電連通,接著,提供塑料60,塑料60包覆芯片20、導電件18及電路板5A表面,據此,封裝體1A就已組成;接著,如圖14-2所示的現有技術封裝體1A制造方法剖面圖,提供一分拆的工序(process),將載板8K的接合層8C1及分拆層8C2分離,使分拆層8C2、固化膠8B及銅箔基板8A同時被移除,其中,此移除工序是以蝕刻液實施;接著,如圖14-3是底視圖,提供一蝕刻(etching)的移除工序,將可分拆銅箔的接合層8C1移除,令線路35上表面31裸露于絕緣體4H下表面42;接著,如圖14-4所示的現有技術封裝體1A制造方法剖面圖,依需求提供一錫球S,錫球S與線路35上表面31接合,使芯片20得以藉錫球S對外電連通;由上述說明得知,電路板5A至少有下列的缺點,說明如下:1)如圖14-4所示,線路35厚度T3通常是大于15微米,在線路35與錫球S接合后,當錫球S受外力F的拉扯時,易造成線路35下表面32與絕緣體4H接合處產生分層(delamination)或間隙G,使線路35與導電件18間電性傳輸不穩定,甚至無法電連通而造成封裝體1A的損壞,其中,雖可增加線路35厚度T3到22微米或更厚,藉提升側邊33與絕緣體4H的接合面積及強度,用以避免封裝體1A產生間隙G,但是,厚的線路35除了令絕緣體4H厚度T無法有效降低,還會增加生產成本,使電路板5A無法滿足電子產品要更薄的需求;2)如圖14-2所示,在分拆層8C1被蝕刻液移除的過程中,同時也會將線路35的一部分移除,使線路35厚度T3轉換成更薄的厚度T3K,據此,使線路35側邊33減少與絕緣體4H的接合面積,從而,降低線路35與絕緣體4H的接合強度,使線路35與錫球S接合后,更易因錫球S受外力F的拉扯而造成電路板5A的損壞。
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