[發明專利]刻蝕液處理裝置

在審

• 申請號: 201811540513.6
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109659260A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 沈海洋
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本發明提供一種刻蝕液處理裝置，該裝置包括藥液槽，用于容納刻蝕液，刻蝕液用于對基板進行刻蝕；承載槽，用于承載基板以及容納刻蝕后的刻蝕液；第一藥液管，一端與藥液槽連接，另一端設置在基板上，第一藥液管用于將藥液槽中的刻蝕液傳輸至基板上，使刻蝕液對基板進行刻蝕；第二藥液管，一端與藥液槽連接，另一端與承載槽連接，第二藥液管用于將刻蝕后的刻蝕液傳輸至藥液槽中；檢測模塊，用于檢測刻蝕液或刻蝕后的刻蝕液是否受到污染，得到檢測結果；處理模塊，用于根據檢測結果，對刻蝕液和/或刻蝕后的刻蝕液進行處理。該方案通過設置檢測模塊和處理模塊，可以提高刻蝕性能以及基板的良品率。

技術領域

本發明涉及刻蝕技術領域，特別是涉及一種刻蝕處理裝置。

背景技術

在陣列基板制程中，一般采用對基板上的金屬層進行濕刻的方法，形成掃描線、柵電極等結構。

具體的，濕刻通過刻蝕液與金屬層發生化學反應，刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的金屬層。在此刻蝕過程中，光刻膠、金屬可能會剝離，溶解在刻蝕液中，使刻蝕液受到污染，造成基板刻蝕不良。

發明內容

本發明的目的在于提供一種刻蝕液處理裝置，提高了刻蝕性能以及基板的良品率。

本發明實施例提供了一種刻蝕液處理裝置，包括：

藥液槽，用于容納刻蝕液，所述刻蝕液用于對基板進行刻蝕；

承載槽，所述承載槽用于承載所述基板，所述承載槽用于容納刻蝕后的刻蝕液；

第一藥液管，所述第一藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第一藥液管的另一端設置在所述基板上，所述第一藥液管用于將所述藥液槽中的所述刻蝕液傳輸至所述基板上，使所述刻蝕液對所述基板進行刻蝕；

第二藥液管，所述第二藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第二藥液管的另一端與所述承載槽連接，所述第二藥液管用于將所述刻蝕后的刻蝕液傳輸至所述藥液槽中；

檢測模塊，用于檢測所述刻蝕液或所述刻蝕后的刻蝕液是否受到污染，得到檢測結果；

處理模塊，用于根據所述檢測結果，對所述刻蝕液和/或所述刻蝕后的刻蝕液進行處理。

在一實施例中，所述檢測模塊包括：

獲取子模塊，用于獲取所述刻蝕液的導電值；

判斷子模塊，用于判斷所述刻蝕液的導電值是否處于第一預設導電值范圍；

第一得到子模塊，用于在不處于第一預設導電值范圍時，得到所述刻蝕液受到污染的檢測結果；

第二得到子模塊，用于在處于第一預設導電值范圍時，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結果。

在一實施例中，所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕后的刻蝕液的導電值；

所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕后的刻蝕液的導電值是否處于第二預設導電值范圍；

所述第一得到子模塊，還用于在不處于第二預設導電值范圍時，得到所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測結果；

所述第二得到子模塊，還用于在處于第二預設導電值范圍時，得到所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢查結果。

在一實施例中，所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕液的壓差值；

所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕液的壓差值是否大于第一預設壓差值；

所述第一得到子模塊，還用于在大于第一預設壓差值時，得到所述刻蝕液受到污染的檢測結果；

所述第二得到子模塊，還用于在不大于第一預設壓差值時，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結果。