[發明專利]刻蝕液處理裝置

在審

• 申請號: 201811540513.6
• 申請日: 2018-12-17
• 公開（公告）號: CN109659260A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 沈海洋
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種刻蝕液處理裝置，其特征在于，包括：

藥液槽，用于容納刻蝕液，所述刻蝕液用于對基板進行刻蝕；

承載槽，所述承載槽用于承載所述基板，所述承載槽用于容納刻蝕后的刻蝕液；

第一藥液管，所述第一藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第一藥液管的另一端設置在所述基板上，所述第一藥液管用于將所述藥液槽中的所述刻蝕液傳輸至所述基板上，使所述刻蝕液對所述基板進行刻蝕；

第二藥液管，所述第二藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第二藥液管的另一端與所述承載槽連接，所述第二藥液管用于將所述刻蝕后的刻蝕液傳輸至所述藥液槽中；

檢測模塊，用于檢測所述刻蝕液或所述刻蝕后的刻蝕液是否受到污染，得到檢測結果；

處理模塊，用于根據所述檢測結果，對所述刻蝕液和/或所述刻蝕后的刻蝕液進行處理。

2.根據權利要求1所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述檢測模塊包括：

獲取子模塊，用于獲取所述刻蝕液的導電值；

判斷子模塊，用于判斷所述刻蝕液的導電值是否處于第一預設導電值范圍；

第一得到子模塊，用于在不處于第一預設導電值范圍時，得到所述刻蝕液受到污染的檢測結果；

第二得到子模塊，用于在處于第一預設導電值范圍時，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結果。

3.根據權利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，

所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕后的刻蝕液的導電值；

所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕后的刻蝕液的導電值是否處于第二預設導電值范圍；

所述第一得到子模塊，還用于在不處于第二預設導電值范圍時，得到所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測結果；

所述第二得到子模塊，還用于在處于第二預設導電值范圍時，得到所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢查結果。

4.根據權利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，

所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕液的壓差值；

所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕液的壓差值是否大于第一預設壓差值；

所述第一得到子模塊，還用于在大于第一預設壓差值時，得到所述刻蝕液受到污染的檢測結果；

所述第二得到子模塊，還用于在不大于第一預設壓差值時，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結果。

5.根據權利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，

所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕后的刻蝕液的壓差值；

所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕后的刻蝕液的壓差值是否大于第二預設壓差值；

所述第一得到子模塊，還用于在大于第二預設壓差值時，得到所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測結果；

所述第二得到子模塊，還用于在不大于第二預設壓差值時，得到所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢查結果。

6.根據權利要求2-5任意一項所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述藥液槽上設有第一閥門；

所述處理模塊用于根據所述刻蝕液受到污染的檢測結果或所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測結果，開啟所述第一閥門，清除所述藥液槽中的刻蝕液。

7.根據權利要求2-5任意一項所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述藥液槽和所述第一藥液管之間設有泵；

所述處理模塊用于根據所述刻蝕液未受到污染的檢測結果或所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢測結果，開啟所述泵，使所述藥液槽中的所述刻蝕液，通過所述第一藥液管傳輸至所述基板上。

8.根據權利要求3或5所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述承載槽和所述第二藥液管之間具有第二閥門；

所述處理模塊，用于根據所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢測結果，將所述第二閥門打開，使所述刻蝕后的刻蝕液經所述第二藥液管傳入所述藥液槽。