[發明專利]刻蝕后硅片邊緣電阻的測試方法及裝置

在審

• 申請號: 201811536491.6
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109655667A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 高鳳海;費正洪;李棟
• 申請（專利權）人: 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司
• 主分類號: G01R27/02
• 分類號: G01R27/02;G01R31/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發明實施例提供的一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測試方法及裝置，該方法通過在刻蝕后硅片的前表面的測試點輸入預設電信號，并在背離前表面的背表面的測試點獲取輸出的電信號，以根據預設電信號和輸出的電信號，計算出刻蝕后硅片的邊緣電阻。本發明實施例提供的一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測試方法及裝置，能夠對所有刻蝕后的硅片進行測試，提高測試效率和測試數據的準確度，進而提高生產效率和產品良率。

技術領域

本發明實施例涉及數據檢測技術領域，尤其涉及一種刻蝕后硅片邊緣電組的測試方法及裝置。

背景技術

太陽能電池是通過光電效應直接把光能轉換成電能的裝置。其中，太陽能電池根據所用材料不同可分為：硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有機太陽能電池、塑料太陽能電池，其中硅太陽能電池是目前發展最成熟的，在應用中居主導地位。

當前，硅太陽能電池包括晶體硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池。其中，晶體硅太陽能電池又可分為單晶硅電池和多晶硅電池。晶體硅太陽能電池的制備工藝步驟包括：清洗、制絨、擴散、邊緣刻蝕、鍍膜、印刷、燒結、電池片測試等。然而，刻蝕是晶體硅太陽能電池生產過程中的一個重要工序，這是由于擴散過程中，硅片的外圍表面的導電類型發生變化，通過刻蝕去除硅片邊緣的PN結及清洗硅片表面的磷硅玻璃層，能夠避免硅片前表面和背表面通電時發生短路。為驗證刻蝕的效果，現有技術中，通過人工在固定時間從下料端取出硅片，使用電表對硅片進行測試，以判定硅片是否合格。

但是，通過人工取片對硅片進行抽檢的方式，監控數據量少，存在漏檢風險。同時，人工取片會造成硅片污染、破碎，致使進行硅片邊緣電阻的測試的硅片均需要進行返工處理，從而增加了制造成本

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種刻蝕后硅片邊緣電組的測試方法及裝置，能夠對晶體硅太陽能電池工藝制程中刻蝕后的硅片進行邊緣電阻的檢測，從而判斷硅片的刻蝕效果，分選出品質優良的硅片，以備后續使用。

第一方面，本發明實施例提供了一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測試方法，包括：

硅片經刻蝕工藝后，在刻蝕后硅片的前表面的測試點輸入預設電信號；

獲取背離所述前表面的背表面的測試點輸出的電信號；

根據所述預設電信號和所述輸出的電信號，計算所述刻蝕后硅片的邊緣電阻的測試阻值。

可選的，所述方法還包括：

根據所述測試阻值和標準阻值的比較結果，確定所述刻蝕后硅片的品質。

可選的，所述根據所述測試阻值和標準阻值的比較結果，確定所述刻蝕后硅片的品質，包括：

在所述測試阻值大于所述標準阻值時，確定所述刻蝕后硅片合格；

在所述測試阻值小于所述標準阻值時，確定所述刻蝕后硅片異常。

可選的，在所述測試阻值小于所述標準阻值時，確定所述刻蝕后硅片異常之后，還包括：

控制所述刻蝕后硅片重新返回制程起點，對所述刻蝕后硅片進行返工處理。

可選的，在所述測試阻值大于所述標準阻值時，確定所述刻蝕后硅片合格之后，還包括：

控制所述刻蝕后硅片流轉至刻蝕工藝后的下一工序。

可選的，所述刻蝕后硅片為四邊形；

所述前表面的測試點包括位于所述前表面的邊緣的至少8個測試點；所述背表面的測試點與所述前表面的測試點一一對應設置。

第二方面，本發明實施例提供了一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測試裝置，包括：