[發(fā)明專利]刻蝕后硅片邊緣電阻的測(cè)試方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811536491.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109655667A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高鳳海;費(fèi)正洪;李棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城阿特斯協(xié)鑫陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯陽(yáng)光電力集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/02
• 分類號(hào): G01R27/02;G01R31/26
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測(cè)試方法，其特征在于，包括：

硅片經(jīng)刻蝕工藝后，在刻蝕后硅片的前表面的測(cè)試點(diǎn)輸入預(yù)設(shè)電信號(hào)；

獲取背離所述前表面的背表面的測(cè)試點(diǎn)輸出的電信號(hào)；

根據(jù)所述預(yù)設(shè)電信號(hào)和所述輸出的電信號(hào)，計(jì)算所述刻蝕后硅片的邊緣電阻的測(cè)試阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

根據(jù)所述測(cè)試阻值和標(biāo)準(zhǔn)阻值的比較結(jié)果，確定所述刻蝕后硅片的品質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述測(cè)試阻值和標(biāo)準(zhǔn)阻值的比較結(jié)果，確定所述刻蝕后硅片的品質(zhì)，包括：

在所述測(cè)試阻值大于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片合格；

在所述測(cè)試阻值小于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片異常。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述測(cè)試阻值小于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片異常之后，還包括：

控制所述刻蝕后硅片重新返回制程起點(diǎn)，對(duì)所述刻蝕后硅片進(jìn)行返工處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述測(cè)試阻值大于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片合格之后，還包括：

控制所述刻蝕后硅片流轉(zhuǎn)至刻蝕工藝后的下一工序。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述刻蝕后硅片為四邊形；

所述前表面的測(cè)試點(diǎn)包括位于所述前表面的邊緣的至少8個(gè)測(cè)試點(diǎn)；所述背表面的測(cè)試點(diǎn)與所述前表面的測(cè)試點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

7.一種刻蝕后硅片邊緣電阻的測(cè)試裝置，其特征在于，包括：

預(yù)設(shè)電信號(hào)輸入模塊，用于在硅片經(jīng)刻蝕工藝后，在刻蝕后硅片的前表面的測(cè)試點(diǎn)輸入預(yù)設(shè)電信號(hào)；

輸出電信號(hào)獲取模塊，用于獲取背離所述前表面的背表面的測(cè)試點(diǎn)輸出的電信號(hào)；

測(cè)試電阻計(jì)算模塊，用于根據(jù)所述預(yù)設(shè)電信號(hào)和所述輸出的電信號(hào)，計(jì)算所述刻蝕后硅片的邊緣電阻的測(cè)試阻值。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，還包括：

硅片品質(zhì)確定模塊，用于根據(jù)所述測(cè)試阻值和標(biāo)準(zhǔn)阻值的比較結(jié)果，確定所述刻蝕后硅片的品質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述硅片品質(zhì)確定模塊具體用于：

在所述測(cè)試阻值大于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片合格；在所述測(cè)試阻值小于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片異常。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括：

硅片返工處理模塊，用于在所述測(cè)試阻值小于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片異常之后，控制所述刻蝕后硅片重新返回制程起點(diǎn)，對(duì)所述刻蝕后硅片進(jìn)行返工處理。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，還包括：

硅片工序流轉(zhuǎn)模塊，用于在所述測(cè)試阻值大于所述標(biāo)準(zhǔn)阻值時(shí)，確定所述刻蝕后硅片合格之后，控制所述刻蝕后硅片流轉(zhuǎn)至刻蝕工藝后的下一工序。

12.根據(jù)權(quán)利要求7～11任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述刻蝕后硅片為四邊形；

所述前表面的測(cè)試點(diǎn)包括位于所述前表面的邊緣的至少8個(gè)測(cè)試點(diǎn)；所述背表面的測(cè)試點(diǎn)與所述前表面的測(cè)試點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。