[發明專利]一種大批量合成及高效提純超細銀納米線的方法在審
| 申請號: | 201811535683.5 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109482900A | 公開(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發明(設計)人: | 汪海風;白盛池;陳天銳;楊輝;吳春春;郭興忠;闕永生 | 申請(專利權)人: | 浙江加州國際納米技術研究院臺州分院;浙江大學 |
| 主分類號: | B22F9/24 | 分類號: | B22F9/24;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 杭州中成專利事務所有限公司 33212 | 代理人: | 周世駿 |
| 地址: | 318001 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 銀納米線 超細 納米顆粒 乙二醇溶液 絮狀固體 鹵代鹽 提純 丙酮 制備 合成 聚乙烯吡咯烷酮 納米材料合成 攪拌條件 晶體生長 取上清液 再次出現 重復操作 大粒徑 高純度 氯離子 小粒徑 乙二醇 溴離子 成形 混勻 晶核 無銀 沉積 離子 溶解 | ||
本發明涉及納米材料合成及應用領域,旨在提供一種大批量合成及高效提純超細銀納米線的方法。包括:攪拌條件下將聚乙烯吡咯烷酮和AgNO3加入乙二醇中,混勻并溶解;繼續加入氯離子鹵代鹽?乙二醇溶液和溴離子鹵代鹽?乙二醇溶液,在N2氣氛反應;離心取上清液,攪拌下加入丙酮,靜置使絮狀固體沉積;用去離子水分散形成均勻分散液;攪拌下加入丙酮,待再次出現絮狀固體時停止,重復操作6~10次,得高純度超細銀納米線。本發明能控制Ag晶核成形、晶體生長等過程,實現超細AgNWs的大批量、穩定制備。完全除去大粒徑納米顆粒雜質,將小粒徑納米顆粒與AgNWs分離開來;制備獲得的銀納米線,無銀納米顆粒雜質,純度幾乎為100%;銀納米線的直徑≤40.0nm。
技術領域
本發明涉及一種大批量合成及高效提純超細銀納米線的方法,屬于納米材料合成及應用領域。
背景技術
21世紀是一個信息化、網絡化的大數據時代,“信息高速公路”滲透到社會生活中方方面面。隨著信息終端從大型主機向可穿戴設備逐漸推進,從平板型、曲面型逐漸向可彎曲、可卷曲方向發展,電子器件面臨著柔性化挑戰。柔性電子器件如柔性顯示器、電子皮膚、印刷電子標簽、柔性薄膜太陽能電池等,具有可變形、便攜、輕質、可大面積應用等特性,在信息、能源、醫療、國防等領域具有廣泛應用前景。柔性電子的發展離不開薄膜電極材料,傳統薄膜電極材料為氧化銦錫(ITO),其透明度高,導電性能好,用途廣泛,但其為脆性材料,易形變開裂,無法適應于柔性電子器件。
銀納米線(AgNWs)作為一維納米結構材料,具有長徑比高,導電性好,透光性高,耐曲撓等特性,是取代ITO透明薄膜電極的理想材料。AgNWs常使用多元醇法來合成,該方法是由Xia等人在2002年提出的,一般做法是將AgNO3和PVP的EG溶液注入到加熱的EG中,AgNO3經EG還原,生成Ag0,Ag0聚集生成五重孿晶,其在PVP的選擇性包覆作用下,生長成一維的AgNWs。用這種方法,可以得到直徑為40~150nm,長度達150μm的AgNWs。但經理論計算和實驗證明,當AgNWs直徑越小,長徑比越高時,有利于提高其透明薄膜電極性能。因此,人們又通過改進多元醇法,來合成直徑更細,長徑比更高的AgNWs。但超細AgNWs(直徑≤40nm)在合成過程中會出現如下一些問題,如:1)納米顆粒雜質太多,納米顆粒直徑一般在100-1000nm之間,會給AgNWs提純造成很大困難;2)小量合成AgNWs時,其工藝容易控制,產品質量比較穩定,但一旦放大后,由于AgNWs合成是一個復雜的熱力學、動力學過程,其工藝就很難控制,產品質量也就難以保證。因此,當前對大批量合成出直徑細小,長徑比高,且提純工藝高效的AgNWs非常有必要。
發明內容
本發明要解決的技術問題是,克服現有技術中的不足,提供一種大批量合成及高效提純超細銀納米線的方法。
為解決技術問題,本發明的解決方案是:
提供一種大批量合成及高效提純超細銀納米線的方法,包括以下步驟:
(1)分別制備濃度為100~300mM的氯離子鹵代鹽-乙二醇溶液,以及100~300mM的溴離子鹵代鹽-乙二醇溶液;
(2)按重量比200~400∶1~2∶1取乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和AgNO3固體,AgNO3重量>10.0g;將乙二醇加入三口燒瓶中,攪拌條件下繼續加入聚乙烯吡咯烷酮和AgNO3,混勻并溶解;
繼續向三口燒瓶中加入氯離子鹵代鹽-乙二醇溶液和溴離子鹵代鹽-乙二醇溶液,前者與三口燒瓶中已有乙二醇的體積比為0.015~0.05:1,后者與已有乙二醇的體積比為0.002~0.02:1;
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