[發明專利]電鍍方法

有效

• 申請號: 201811534173.6
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN111326477B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 石虎;李海江;敖薩仁;李林超;史凱磊
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/288;C25D5/02;C25D5/10;C25D7/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種電鍍方法，其特征在于，包括：

提供載體，所述載體上具有器件晶圓；

修剪所述器件晶圓的邊緣，以使所述載體的邊緣區被所述器件晶圓暴露出來而處于最外緣；

覆蓋電鍍種子層于所述器件晶圓以及所述載體的邊緣區上，所述電鍍種子層從所述器件晶圓的上表面經所述器件晶圓的側壁表面連續延伸到所述載體的邊緣區的上表面上；

形成圖形化掩膜層于所述電鍍種子層上，所述圖形化掩膜層定義出電鍍圖形，且所述圖形化掩膜層至少從所述器件晶圓的上表面邊緣連續延伸到所述器件晶圓的側壁表面上；以及，

將電鍍治具中的電極施加到所述載體的邊緣區上的所述電鍍種子層上且所述電極與所述電鍍種子層電接觸，將所述電鍍治具中的密封環加到所述器件晶圓的上表面邊緣上的所述圖形化掩膜層上，或者，將所述密封環施加到所述器件晶圓的側壁上的所述圖形化掩膜層上，或者，將所述密封環施加到所述載體的邊緣區上的所述圖形化掩膜層上，所述密封環用于將所述器件晶圓固定于電鍍液中；

在所述圖形化掩膜層的掩膜下對所述器件晶圓進行電鍍，以形成所述電鍍圖形。

2.如權利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，所述器件晶圓和所述載體之間還設置有覆蓋所述器件晶圓的塑封層；在覆蓋所述電鍍種子層之前，還修剪所述塑封層的邊緣，以使所述載體的邊緣區被所述器件晶圓和所述塑封層暴露出來而處于最外緣。

3.如權利要求2所述的電鍍方法，其特征在于，在覆蓋所述電鍍種子層時，所述電鍍種子層還覆蓋在所述塑封層上。

4.如權利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，采用V形刀片切割的方式或采用激光傾斜切割的方式或采用刻蝕的方式，修剪所述器件晶圓的邊緣。

5.如權利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，修剪所述器件晶圓的邊緣后，所述器件晶圓的邊緣側壁呈斜坡，所述斜坡面向所述器件晶圓中心的一面與所述器件晶圓覆蓋的所述載體的表面之間的夾角為30度～85度。

6.如權利要求5所述的電鍍方法，其特征在于，在進行所述電鍍前，還將所述密封環施加到所述斜坡上的所述圖形化掩膜層上。

7.如權利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，當所述密封環施加到所述器件晶圓的上表面邊緣上的所述圖形化掩膜層上時，所述密封環靠近所述器件晶圓中心的一側與所述器件晶圓的最外邊緣之間的水平距離介于0～1mm之間。

8.如權利要求1所述的電鍍方法，其特征在于，在形成所述電鍍圖形之后，所述的電鍍方法還包括：去除所述電鍍治具和所述圖形化掩膜層，并以所述電鍍圖形為掩膜，刻蝕所述電鍍種子層，直至暴露出所述器件晶圓的表面。