[發明專利]TFT的制備方法、TFT、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201811534064.4
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109659235B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發明（設計）人: 胡俊艷
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種TFT的制備方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成緩沖層、多晶硅層、柵極絕緣層、源極層、漏極層和柵極層；

其中，所述多晶硅層形成于所述緩沖層之上，所述源極層和漏極層形成于所述多晶硅層兩側，所述柵極絕緣層形成于所述多晶硅層、所述源極層和漏極層之上，在基板上形成所述緩沖層和多晶硅層之后，形成所述柵極絕緣層之前，對所述多晶硅層進行一次離子植入，以調整TFT的亞閾值擺幅不低于預設閾值，并使得植入離子濃度的峰值落在多晶硅層下方的緩沖層中，所述離子植入能量為30KeV～100KeV，所述多晶硅層的厚度為300～600埃。

2.根據權利要求1所述的TFT的制備方法，其特征在于，所述離子植入的離子種類為P⁵⁺。

3.根據權利要求1所述的TFT的制備方法，其特征在于，所述離子植入的離子種類為Si⁴⁺。

4.根據權利要求1所述的TFT的制備方法，其特征在于，所述多晶硅層的厚度為450埃。

5.根據權利要求1所述的TFT的制備方法，其特征在于，所述預設閾值為0.45～0.8mV/dec。

6.一種TFT，其特征在于，所述TFT采用如權利要求1至5中任一所述的TFT制備方法制備而成。

7.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權利要求6中所述的TFT。

8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求7中所述的陣列基板。