[發(fā)明專利]半導體發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811533059.1
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN110047983B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 徐德壹;金藝瑟;金京完;禹尙沅;金智惠
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/14;H01L33/42
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;張川緒

公開了一種半導體發(fā)光元件，包括：發(fā)光結構，包括第一導電型半導體層、活性層、第二導電型半導體層；透明導電層，形成在第二導電型半導體層之上；形成于發(fā)光結構上的第一電極墊和第二電極墊，分別連接到第一導電型半導體層和第二導電型半導體層；第一電極延伸部和第二電極延伸部，分別從第一電極墊和第二電極墊延伸。第一電極延伸部包括：縱向延伸部，從第一電極墊沿發(fā)光結構的邊緣沿縱向延伸；橫向延伸部，從縱向延伸部的末端沿發(fā)光結構的邊緣沿橫向延伸。橫向延伸部包括多個延伸部?接觸部分，使得橫向延伸部與所述第一導電型半導體層接觸。第二電極延伸部包括第一延伸部和第二延伸部。

本申請是申請日為2015年7月1日、申請?zhí)枮?01580035261.X、題為“發(fā)光元件”的專利申請的分案申請。

技術領域

本公開的示例性實施例涉及一種發(fā)光裝置，并且更具體地涉及一種具有高電流擴散效率以在發(fā)光效率和可靠性方面提供良好性質(zhì)的發(fā)光裝置。

背景技術

通常，諸如發(fā)光二極管的發(fā)光裝置包括供應電子的n型半導體層、供應空穴的p型半導體層以及插置在n型半導體層與p型半導體層之間的活性層。n型和p型電極分別形成在n型半導體層和p型半導體層上，以接收來自外部電源的電功率。

另一方面，基于氮化物半導體的p型半導體層相比n型半導體層具有較低的導電率。因此，電流不會在p型半導體層中有效地擴散，由此導致半導體層的某個區(qū)域中產(chǎn)生電流擁擠。當半導體層中發(fā)生電流擁擠時，發(fā)光二極管變得容易進行靜電放電并且可遭遇漏電和效率降低。為了實現(xiàn)有效的電流擴散，諸如氧化銦錫(ITO)電極的透明電極形成在p型半導體層上且p型電極形成在ITO層上。

發(fā)明內(nèi)容

【技術問題】

本公開的示例性實施例提供了一種配置成實現(xiàn)水平方向上的均勻電流擴散的發(fā)光裝置。

本公開的示例性實施例提供了一種發(fā)光裝置，其包括第二電極、透明電極以及相關地連接至彼此以改進結構和電穩(wěn)定性的電流阻擋層。

本公開的示例性實施例提供了一種改進引線鍵合的可結合性的發(fā)光裝置。

【技術方案】

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，發(fā)光裝置包括：第一導電型半導體層；臺面，其設置在第一導電型半導體層上并且包括活性層以及設置在活性層上的第二導電型半導體層；電流阻擋層，其部分地設置在臺面上；透明電極，其設置在臺面上并且至少部分地覆蓋電流阻擋層；第一電極，其與第二導電型半導體層絕緣并且包括第一電極墊和從第一電極墊延伸的第一電極延伸部分；第二電極，其設置在電流阻擋層上以電連接至透明電極并且包括第二電極墊和從第二電極墊延伸的第二電極延伸部分；以及絕緣層，其部分地設置在第一電極下方的區(qū)域中，其中臺面包括至少一個溝槽，該溝槽形成在臺面的側表面上使得第一導電型半導體層通過該溝槽而部分地露出；該絕緣層包括至少部分地露出所露出的第一導電型半導體層的開口；該第一電極延伸部分包括至少一個延伸接觸部分，其穿過開口接觸第一導電型半導體層；以及第二電極延伸部分包括遠端，該遠端所具有的寬度不同于第二電極延伸部分的平均寬度。

第二電極延伸部分的遠端的寬度可以大于第二電極延伸部分的平均寬度。

第二電極延伸部分的遠端可以具有圓形形狀，其直徑大于第二電極延伸部分的寬度。

第二電極延伸部分可以包括從第二電極延伸部分的延伸方向彎曲的附加延伸部分，且該附加延伸部分可以遠離第一電極延伸部分彎曲。

附加延伸部分可以形成為具有預定曲率的弧形形狀。

該附加延伸部分可以朝發(fā)光裝置的一個角部彎曲。

第一電極墊和第二電極墊可以設置在穿過發(fā)光結構的中心的縱向線上；第一電極墊可以設置成鄰近于發(fā)光裝置的第一側表面；以及第二電極墊可以設置成鄰近于發(fā)光裝置的與其第一側表面相對的第三側表面。