[發明專利]半導體發光元件

有效

• 申請號: 201811533059.1
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN110047983B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 徐德壹;金藝瑟;金京完;禹尙沅;金智惠
• 申請（專利權）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/14;H01L33/42
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 姜長星;張川緒

1.一種半導體發光元件，包括：

發光結構，包括第一導電型半導體層、活性層、第二導電型半導體層；

透明導電層，形成在所述第二導電型半導體層之上；

第一電極墊和第二電極墊，形成于所述發光結構上，且第一電極墊與第一導電型半導體層連接，第二電極墊與所述第二導電型半導體層連接；

第一電極延伸部和第二電極延伸部，第一電極延伸部和第二電極延伸部分別從所述第一電極墊和第二電極墊延伸，

其中，所述第一電極延伸部包括：

縱向延伸部，從所述第一電極墊沿所述發光結構的邊緣沿縱向延伸；

橫向延伸部，從所述縱向延伸部的末端沿所述發光結構的邊緣沿橫向延伸，

其中，所述橫向延伸部包括多個延伸部-接觸部分，使得所述橫向延伸部與所述第一導電型半導體層接觸，

其中，所述第二電極延伸部包括：

第一延伸部，與所述第一電極延伸部的橫向延伸部相隔A1間距從所述第二電極墊延伸；

第二延伸部，從所述第一延伸部的末端朝遠離所述第一電極延伸部的橫向延伸部的方向延伸，其中，所述第一延伸部與所述發光結構的縱向的中心區域相隔A4間距，

其中，所述A1間距表示所述第二電極延伸部的第一延伸部與所述第一電極延伸部的橫向延伸部之間的間距，

其中，所述A4間距表示所述第二電極延伸部的第一延伸部與所述發光結構的縱向中心區域之間的間距，

其中，所述A4間距小于所述A1間距。

2.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部的第一延伸部與所述第一電極延伸部的橫向延伸部平行地從所述第二電極墊延伸，所述第二延伸部具有預定的曲率半徑。

3.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部的第一延伸部與所述第一電極延伸部的橫向延伸部之間的間距大于所述第二電極延伸部的第二延伸部的末端與所述第一電極墊之間的間距。

4.根據權利要求3所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部包括具有與所述第二電極延伸部的平均寬度不同的寬度的末端。

5.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述第一電極墊和第二電極墊跨過所述發光結構的縱向的中心線形成，

所述第一電極墊形成于所述發光結構的一側，所述第二電極墊形成于所述發光結構的另一側。

6.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部的第二延伸部具有朝向與發光結構體的形成有所述第一電極延伸部的橫向延伸部的邊緣相對的邊緣彎曲的形態。

7.根據權利要求2所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部的第一延伸部與所述第一電極延伸部的橫向延伸部之間的間距大于所述第二電極延伸部的第一延伸部與發光結構體的形成有所述第一電極延伸部的橫向延伸部的邊緣相對的邊緣之間的間距。

8.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，所述第二電極延伸部的第二延伸部的末端至所述透明導電層的外廓的最短距離等于從所述第二電極墊的側表面至所述透明導電層的外廓的最短距離。

9.根據權利要求1所述的半導體發光元件，其中，還包括：絕緣層，形成在所述第一電極延伸部的橫向延伸部的下部，

其中，所述絕緣層包括部分暴露所述第一導電型半導體層的開口部，

其中，所述多個延伸部-接觸部分通過所述開口部與所述第一導電型半導體層歐姆接觸。

10.根據權利要求9所述的半導體發光元件，其中，在所述第一電極墊下部形成有絕緣層。