[發明專利]低雷諾數條件的等離子體合成射流激勵器

有效

• 申請號: 201811532947.1
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109618481B
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 李彪;周德力;蔡偉華
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H05H1/30
• 分類號: H05H1/30;B64C23/00
• 代理公司: 哈爾濱市陽光惠遠知識產權代理有限公司 23211
• 代理人: 劉景祥

1.一種低雷諾數條件的等離子體合成射流激勵器，其特征是：包括激勵器放電腔(4)、激勵器緩沖腔(2)、陰極放電電極(6)、陽極放電電極(5)和耐熱硅膠，激勵器放電腔(4)放置于激勵器緩沖腔(2)內；

激勵器放電腔(4)為空心圓柱體，激勵器緩沖腔(2)為空心柱體或者橫截面為多邊形幾何截面的空心柱體，激勵器放電腔(4)與激勵器緩沖腔(2)的間隔板上設有四個環形陣列分布的高速射流孔(3)，激勵器緩沖腔(2)上壁設有三個環形陣列分布的低速射流孔(1)或者縫開口；

所述激勵器放電腔(4)的底部分別插入陰極放電電極(6)和陽極放電電極(5)，采用耐熱硅膠將陰極放電電極(6)和陽極放電電極(5)固定和密封，所述激勵器放電腔(4)的體壁和耐熱硅膠均為絕緣材質。

2.一種如權利要求1所述的低雷諾數條件的等離子體合成射流激勵器工作方法，其特征是：包括以下步驟：

步驟一：激勵器放電腔(4)內的氣體在陰極放電電極(6)和陽極放電電極(5)放電作用下加熱，使得激勵器放電腔(4)內的氣體變為高壓氣體；

步驟二：所述高壓氣體通過高速射流孔(3)射出到激勵器緩沖腔(2)內，高速射流得到減速變為低速氣體；

步驟三：所述低速氣體通過低速射流孔(1)射出到外界；

步驟四：一次放電結束后，外界氣體通過低速射流孔(1)和高速射流孔(3)進入激勵器使得激勵器內部氣體參數恢復至放電前，一個工作循環結束。

3.根據權利要求2所述的工作方法，其特征是：通過改變激勵器緩沖腔(2)的形狀、尺寸和內部導流結構，以及低速射流孔(1)的形狀和尺寸調節射出到外界的低速氣體的氣體速度和射流方向。

4.根據權利要求2所述的工作方法，其特征是：低速射流孔(1)射出孔口特征尺度下Re不大于10^6的低速射流。