[發(fā)明專利]一種相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811532568.2 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN109355638B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐偉龍;蔡小紅;陳海悅;鄭敏;肖進(jìn);趙宇;卞維柏 | 申請(專利權(quán))人: | 常州工學(xué)院 |
| 主分類號: | C23C16/30 | 分類號: | C23C16/30;C23C16/52;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州西創(chuàng)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32472 | 代理人: | 武政 |
| 地址: | 213032 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 相變 可控 無機(jī) 鈣鈦礦 薄膜 制備 方法 器件 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明屬于光電功能材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應(yīng)用。所述方法包括:(1)將先驅(qū)物溴化鉛和溴化銫分別置于氣相沉積裝置內(nèi),將襯底置于沉積區(qū),并對整個裝置抽真空;(2)向氣相沉積裝置內(nèi)通入惰性氣體;(3)設(shè)定沉積溫度和沉積時間,沉積溫度選自500?800℃,不同沉積溫度下,鈣鈦礦薄膜的成分和晶型不同。本發(fā)明采用化學(xué)氣相沉積方法,工藝條件簡單,易于精確控制,適合產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),同時薄膜均勻性好,與襯底材料附著性,覆蓋性好,制備的光電薄膜,具有廣闊的應(yīng)用前景。本發(fā)明通過改變沉積溫度,實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦相從CsPb2Br5到CsPbBr3可控生長。基于本發(fā)明得到的鈣鈦礦薄膜制備的光電探測器,表現(xiàn)出良好的光電響應(yīng)和開關(guān)特性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光電功能材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應(yīng)用。
背景技術(shù)
近年來,有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦因其寬譜吸收,電子特性可調(diào),載流子遷移率高等特點(diǎn),使其在太陽能電池,發(fā)光二極管及探測器領(lǐng)域具有較大的應(yīng)用前景。然而,相分離和光誘導(dǎo)鹵素分離現(xiàn)象在很大程度上阻礙了有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料的發(fā)展。而采用金屬離子(如銫,銣等)代替有機(jī)離子是解決鈣鈦礦熱不穩(wěn)定性非常好的方案。因此,很多種基于溶液的方法用于生長形貌可控的全無機(jī)鈣鈦礦晶體,基于此晶體制備的鈣鈦礦器件表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。然而對于大尺寸鈣鈦礦器件產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,溶液法將受到薄膜厚度不足和相轉(zhuǎn)變所限制,也就是說,全無機(jī)鈣鈦礦通常都是通過溶液方法制備,然而溶液法在大面積、高表面覆蓋、大厚度薄膜制備中面臨挑戰(zhàn)。
化學(xué)氣相沉積可以用于制備高質(zhì)量的電子薄膜,也被用于有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦薄膜,對于全無機(jī)鈣鈦礦薄膜制備較少,通過研究沉積溫度對于薄膜結(jié)構(gòu)、形貌和光學(xué)特性較少。為了適應(yīng)光電子器件快速發(fā)展需要,研發(fā)相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦材料十分重要。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在上述技術(shù)問題,本發(fā)明涉及一種利用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法,制備了相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明利用化學(xué)氣相沉積法,通過調(diào)節(jié)沉積溫度控制鈣鈦礦薄膜的成分和晶型,制備優(yōu)質(zhì)全無機(jī)鈣鈦礦薄膜。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下所述。
本發(fā)明提供一種相變可控的全無機(jī)鈣鈦礦薄膜制備方法,所述方法的具體步驟如下:
(1)將先驅(qū)物溴化鉛和溴化銫分別置于氣相沉積裝置內(nèi),將襯底置于沉積區(qū),并對整個裝置抽真空;
(2)向氣相沉積裝置內(nèi)通入惰性氣體;
(3)設(shè)定沉積溫度和沉積時間,沉積溫度選自500-800℃,不同沉積溫度下,鈣鈦礦薄膜的成分和晶型不同。
上述步驟(1)中,抽真空至100Pa,并重復(fù)3次,以去除多余的氧氣和水蒸氣;襯底材料為硅。
上述步驟(2)中,惰性氣體為氬氣,流量為80sccm。
上述步驟(3)中加熱程序?yàn)椋簭氖覝丶訜岬皆O(shè)定的溫度時間為60min,然后保持時間為40min,停止加熱,冷卻到室溫。
經(jīng)過試驗(yàn)確定,在加熱時間60min,保持時間40min的情況下,當(dāng)沉積溫度為500℃時,得到的鈣鈦礦基本為CsPb2Br5相;當(dāng)沉積溫度為600℃、700℃時,得到的鈣鈦礦為CsPb2Br5-CsPbBr3雙相結(jié)構(gòu),并隨著溫度升高CsPbBr3相增多;當(dāng)沉積溫度為750℃時,得到的鈣鈦礦基本為CsPbBr3相;當(dāng)襯底溫度為800℃是,鈣鈦礦薄膜降解。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





