[發明專利]一種相變可控的全無機鈣鈦礦薄膜制備方法及器件應用

有效

• 申請號: 201811532568.2
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109355638B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 徐偉龍;蔡小紅;陳海悅;鄭敏;肖進;趙宇;卞維柏
• 申請（專利權）人: 常州工學院
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;C23C16/52;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 常州西創專利代理事務所(普通合伙) 32472
• 代理人: 武政

1.一種相變可控的全無機鈣鈦礦薄膜制備方法，其特征在于，所述方法的具體步驟如下：

(1)將先驅物溴化鉛和溴化銫分別置于氣相沉積裝置內，將襯底置于沉積區，并對整個裝置抽真空；

(2)向氣相沉積裝置內通入惰性氣體；

(3)設定沉積溫度和沉積時間，沉積溫度選自500-800℃，不同沉積溫度下，鈣鈦礦薄膜的成分和晶型不同；

其中，在加熱時間60min，保持時間40min的情況下，當沉積溫度為500℃時，得到的鈣鈦礦基本為CsPb₂Br₅相；當沉積溫度為600℃、700℃時，得到的鈣鈦礦為CsPb₂Br₅-CsPbBr₃雙相結構，并隨著溫度升高CsPbBr₃相增多；當沉積溫度為750℃時，得到的鈣鈦礦基本為CsPbBr₃相；當襯底溫度為800℃時 ，鈣鈦礦薄膜降解。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，抽真空至100Pa，并重復3次，以去除多余的氧氣和水蒸氣。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述襯底材料為硅。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，惰性氣體為氬氣，流量為80sccm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中加熱程序為：從室溫加熱到設定的溫度時間為60min，然后保持時間為40min，停止加熱，冷卻到室溫。

6.一種鈣鈦礦光電器件制備方法，其特征在于，所述器件包括襯底和鈣鈦礦薄膜，所述襯底為叉指電極，所述鈣鈦礦薄膜通過如權利要求1-5中任意一項所述的制備方法制備。

7.根據權利要求6所述的鈣鈦礦光電器件制備方法，其特征在于，所述叉指電極為硅襯底，電極材料為金。