[發(fā)明專利]磁盤裝置用的熱致動器控制值的設定方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811531704.6
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN110827862A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設計）人: 渡邊徹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: G11B5/60
• 分類號: G11B5/60;G11B5/48;G11B5/58
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉靜;段承恩

實施方式提供磁盤裝置用的熱致動器控制值的設定方法，在設定磁盤用的熱致動器的控制值的情況下，能夠高精度地檢測異常接觸。在實施方式的設定方法中，在設定熱致動器的控制值的情況下，在磁盤的半徑方向上至少五個以上半徑位置處進行曲線擬合，所述曲線擬合是使用通過熱致動器使磁頭與磁盤接觸時向熱致動器提供的電力和二次以上的曲線的曲線擬合，在各電力與二次以上的曲線的擬合殘差的RMS的Z值超過了預定值的情況下，判定為檢測到異常接觸。

關聯(lián)申請

本申請享受以日本專利申請2018-152429號(申請日：2018年8月13日)為基礎申請的優(yōu)先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內(nèi)容。

技術領域

實施方式涉及磁盤裝置用的熱致動器控制值的設定方法。

背景技術

在現(xiàn)有的磁盤裝置中，在設定熱致動器控制值時進行磁頭與記錄介質(zhì)的異常接觸的檢測的情況下，在磁盤的相同半徑位置試行多次接觸檢測，并進行接觸直到該檢測結(jié)果的偏差成為一定程度以下為止，由此判斷有無檢測到異常接觸。

不過，根據(jù)接觸檢測的方法，由于其算法的原因，接觸檢測會發(fā)生偏移，雖然反復再現(xiàn)性較好，但不能排除接觸檢測發(fā)生錯誤這樣的狀況。另外，在使用次數(shù)高的函數(shù)(多項式)的情況下，能夠?qū)⒋蓬^與記錄介質(zhì)的間隙控制得更為恒定，但在磁頭與記錄介質(zhì)存在異常接觸的情況下，僅通過使用次數(shù)高的函數(shù)進行擬合而得到的擬合誤差，難以準確地判定異常接觸檢測。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施方式提供在設定磁盤用的熱致動器的控制值的情況下，能夠高精度地檢測異常接觸的磁盤裝置用的熱致動器控制值的設定方法。

一個實施方式的磁盤裝置用的熱致動器的控制值的設定方法進行以下的處理。在設定熱致動器的控制值的情況下，在磁盤的半徑方向上至少五個以上半徑位置處進行曲線擬合，所述曲線擬合是使用通過熱致動器使磁頭與所述磁盤接觸時向所述熱致動器提供的電力和二次以上的函數(shù)的曲線擬合。此外，在各電力與所述二次以上的函數(shù)的擬合殘差的RMS的Z值超過了預定值的情況下，判定為檢測到異常接觸。

附圖說明

圖1是示出實施方式涉及的磁盤裝置的概略性結(jié)構(gòu)的一例的圖。

圖2是示出該實施方式涉及的頭的結(jié)構(gòu)的一例的剖視圖。

圖3的(a)和圖3的(b)是用于詳細說明該實施方式涉及的上浮量的調(diào)整的一例的圖。

圖4是示出該實施方式涉及的取得接觸檢測數(shù)據(jù)的處理的一例的流程圖。

圖5是示出該實施方式涉及的設定熱致動器的控制值時的異常接觸判定處理的一例的流程圖。

圖6是示出該實施方式涉及的4次函數(shù)擬合時的殘差的一例的圖。

圖7是示出該實施方式涉及的進行針對多個滑塊的4次函數(shù)擬合時的殘差的RMS分布的圖。

圖8是示出該實施方式涉及的系數(shù)間相關的一例的圖。

圖9是示出該實施方式涉及的系數(shù)間相關的一例的圖。

圖10是示出該實施方式涉及的系數(shù)間相關的一例的圖。

圖11是示出該實施方式涉及的系數(shù)間相關的一例的圖。

圖12是用于說明該實施方式涉及的包含異常接觸半徑位置而進行4次函數(shù)擬合的情況的一例的圖。

圖13是用于說明該實施方式涉及的將異常接觸半徑位置除外來進行4次函數(shù)擬合的情況的一例的圖。

圖14是示出該實施方式涉及的基于評價函數(shù)進行異常接觸檢測的一例的曲線圖。

圖15是示出該實施方式涉及的針對誤差量的異常接觸位置檢測的一例的曲線圖。