[發(fā)明專利]磁盤裝置用的熱致動(dòng)器控制值的設(shè)定方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811531704.6
• 申請(qǐng)日: 2018-12-14
• 公開（公告）號(hào): CN110827862A
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 渡邊徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/60
• 分類號(hào): G11B5/60;G11B5/48;G11B5/58
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 劉靜;段承恩

1.一種磁盤裝置用的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

在設(shè)定所述熱致動(dòng)器的控制值的情況下，在磁盤的半徑方向上至少五個(gè)以上半徑位置處進(jìn)行曲線擬合，所述曲線擬合是使用在通過所述熱致動(dòng)器使磁頭與所述磁盤接觸時(shí)向所述熱致動(dòng)器提供的電力以及二次以上的函數(shù)的曲線擬合，

在各電力與所述二次以上的函數(shù)的擬合殘差的RMS的Z值超過了預(yù)定值的情況下，判定為檢測(cè)到異常接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

在所述函數(shù)的系數(shù)的Z值超過了所述預(yù)定值的情況下，也判定為檢測(cè)到所述異常接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

在作為與所述函數(shù)的系數(shù)間相關(guān)線的距離的偏離量的Z值超過了所述預(yù)定值的情況下，也判定為檢測(cè)到所述異常接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

針對(duì)各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進(jìn)行所述曲線擬合，評(píng)價(jià)所述擬合殘差的RMS的Z值，

將所述RMS的Z值被評(píng)價(jià)為最小值的半徑位置判定為異常接觸半徑位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

針對(duì)各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進(jìn)行所述曲線擬合，評(píng)價(jià)所述擬合殘差的RMS的Z值和所述曲線的系數(shù)的Z值的總和，

將總和Z值被評(píng)價(jià)為最小值的半徑位置判定為所述異常接觸半徑位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的熱致動(dòng)器的控制值的設(shè)定方法，

針對(duì)各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進(jìn)行所述曲線擬合，評(píng)價(jià)所述擬合殘差的RMS的Z值和作為與所述曲線的系數(shù)間的相關(guān)關(guān)系的距離的Z值的總和，

將總和Z值被評(píng)價(jià)為最小值的半徑位置判定為所述異常接觸半徑位置。