[發明專利]磁盤裝置用的熱致動器控制值的設定方法在審
| 申請號： | 201811531704.6 | 申請日： | 2018-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN110827862A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 渡邊徹 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/60 | 分類號： | G11B5/60;G11B5/48;G11B5/58 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 劉靜;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁盤 裝置 熱致動器 控制 設定 方法 | ||
1.一種磁盤裝置用的熱致動器的控制值的設定方法，
在設定所述熱致動器的控制值的情況下，在磁盤的半徑方向上至少五個以上半徑位置處進行曲線擬合，所述曲線擬合是使用在通過所述熱致動器使磁頭與所述磁盤接觸時向所述熱致動器提供的電力以及二次以上的函數的曲線擬合，
在各電力與所述二次以上的函數的擬合殘差的RMS的Z值超過了預定值的情況下，判定為檢測到異常接觸。
2.根據權利要求1所述的熱致動器的控制值的設定方法，
在所述函數的系數的Z值超過了所述預定值的情況下，也判定為檢測到所述異常接觸。
3.根據權利要求1或2所述的熱致動器的控制值的設定方法，
在作為與所述函數的系數間相關線的距離的偏離量的Z值超過了所述預定值的情況下，也判定為檢測到所述異常接觸。
4.根據權利要求1所述的熱致動器的控制值的設定方法，
針對各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進行所述曲線擬合，評價所述擬合殘差的RMS的Z值，
將所述RMS的Z值被評價為最小值的半徑位置判定為異常接觸半徑位置。
5.根據權利要求4所述的熱致動器的控制值的設定方法，
針對各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進行所述曲線擬合，評價所述擬合殘差的RMS的Z值和所述曲線的系數的Z值的總和，
將總和Z值被評價為最小值的半徑位置判定為所述異常接觸半徑位置。
6.根據權利要求4或5所述的熱致動器的控制值的設定方法，
針對各所述半徑位置，依次將該半徑位置的值除外來進行所述曲線擬合，評價所述擬合殘差的RMS的Z值和作為與所述曲線的系數間的相關關系的距離的Z值的總和，
將總和Z值被評價為最小值的半徑位置判定為所述異常接觸半徑位置。
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