[發明專利]基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS2

有效

• 申請號: 201811531214.6
• 申請日: 2018-12-14
• 公開（公告）號: CN109576658B
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 張湉;夏鈺東;王紅艷;張勇;趙勇
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;B82Y40/00
• 代理公司: 成都華飛知識產權代理事務所(普通合伙) 51281
• 代理人: 杜群芳

1.一種基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS₂納米結構的方法，其特征在于，以MoS₂作為靶材，以石英片作為基底，將靶材、基底設置在密閉環境中，調整基底與靶材之間的距離為9cm~12cm，并將基底與水平面的夾角調整為5°，然后將密閉環境抽真空處理，在密閉環境氣壓降至2×10^-4時，向密閉環境中通入氬氣作為濺射氣體；然后控制密閉環境的氣壓為0.15Pa~0.2Pa，通過直流濺射源進行磁控濺射，濺射時間為40min~90min，得到樹枝狀非晶MoS₂納米結構；所述MoS₂采用純度不低于99.99%的MoS₂；所述石英片先依次在丙酮、無水乙醇、去離子水中進行超聲清洗，然后氮氣吹干，再作為基底；所述基底在濺射過程中自旋，基底的自旋轉速為1r/min。

2.根據權利要求1所述的基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS₂納米結構的方法，其特征在于，所述石英片依次在丙酮溶液中超聲清洗20min、無水乙醇溶液中超聲清洗20min、去離子水中溶液中超聲清洗5min。

3.根據權利要求1所述的基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS₂納米結構的方法，其特征在于，所述直流濺射源的濺射電流為0.1A。

4.根據權利要求1所述的基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS₂納米結構的方法，其特征在于，所述氬氣的流量為12.5sccm～20sccm。

5.根據權利要求1所述的基于磁控濺射法制備樹枝狀非晶MoS₂納米結構的方法，其特征在于，通過磁控濺射儀器進行制備。