[發明專利]自修復背板及其制備方法和疊瓦組件在審
| 申請號: | 201811529707.6 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109616538A | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發明(設計)人: | 姜亞帥;周肅;王晨陽;陳鵬;史振俠;黃青松;黃國平;李菁楠 | 申請(專利權)人: | 中節能太陽能科技(鎮江)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;B32B27/32;B32B27/08;B32B7/12;B32B27/18;B32B27/20;B32B33/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背板 自修復 耐候型樹脂 瓦組件 使用壽命 改性 制備 改性聚烯烴 改性聚乙烯 太陽能組件 自修復功能 一次成型 自修復劑 共擠法 粘接劑 受損 | ||
本發明涉及一種自修復背板及其制備方法和疊瓦組件,屬于太陽能組件技術領域。本發明采用改性耐候型樹脂、粘接劑、改性聚烯烴和改性聚乙烯為組分,其中,改性耐候型樹脂包括耐候型樹脂70~95份、自修復劑0.1~20份和其他助劑10.4~38份。通過一步共擠法一次成型制得自修復背板,該自修復背板在受損產生裂紋時具有自修復功能,可以延長背板的使用壽命。一種疊瓦組件,包括上述自修復背板,具有較長的使用壽命。
技術領域
本發明涉及太陽能組件技術領域,且特別涉及一種自修復背板及其制備方法和疊瓦組件。
背景技術
沙漠地區由于具有更充足的日照及更低廉的土地而具有天然發電優勢,但沙塵暴頻發,在強風的沖洗下高分子背板易受細沙磨損,從而導致外層耐候材料產生微裂紋,且難于探測,而微裂紋經熱應力作用進一步擴展至顯裂紋,從而導致背板失效,進而加速組件衰減。
發明內容
針對現有技術的不足,本發明實施例的目的包括提供一種自修復背板及其制備方法和疊瓦組件,該自修復背板具有自修復功能,延長背板的使用周期,實現組件的高效運行。
本發明實施例第一方面提供了一種自修復背板,包括改性耐候層、粘接層、改性聚烯烴層和改性聚乙烯層;
按重量份數計,制備改性耐候層的原料包括:耐候型樹脂70~95份、自修復劑0.1~20份和其他助劑10.4~38份。發明人將改性后具有自修復功能的耐候型樹脂作為原料與其他組分共同制備背板,制得的背板在受損產生裂紋時具有自修復功能,進而延長背板的使用壽命。
結合第一方面,在本發明的一些實施例中,自修復劑包括由聚氨酯包裹的活性固化劑異佛爾酮二異氰酸酯的微膠囊。該微膠囊從結構上來說,有助于提高背板的抗裂能力,當背板出現裂紋后,釋放異佛爾酮二異氰酸酯,發生聚合反應,粘合裂紋。
結合第一方面,在本發明的一些實施例中,微膠囊的粒徑為0.2~100μm。可選的,微膠囊的粒徑為1~10μm。在該粒徑范圍內,微膠囊的破裂時機更為恰當,破裂后釋放的固化劑也可以較好的修復裂紋。
結合第一方面,在本發明的一些實施例中,微膠囊的內核含量為20~60%,可選的,微膠囊的內核含量為35~45%。該內核含量保證了微膠囊的穩定性和修復效果。
結合第一方面,在本發明的一些實施例中,改性耐候層和改性聚乙烯層分別設置于改性聚烯烴層相對的兩側,改性耐候層和改性聚烯烴層之間設有粘接層,改性聚乙烯層和改性聚烯烴層之間設有粘接層。該結構保證了位于背板最外側的改性耐候層能較好的抵御紫外、濕氧及高低溫的作用,并且確保了自修復的有效性。
本發明第二方面提供了上述自修復背板的制備方法,包括:將改性耐候性樹脂與粘接劑、改性聚烯烴和改性聚乙烯通過一步共擠法一次成型。該方法操作簡單,可以將改性耐候型樹脂與其它組分較好的結合在一起,有助于微膠囊發揮固化作用。
本發明第三方面提供了一種疊瓦組件,包括若干電池切片和上述自修復背板。自修復背板具有自修復功能,進而延長了疊瓦組件的使用期限。
結合第三方面,在本發明的一些實施例中,若干電池切片被等分為第一區域、第二區域、第三區域以及第四區域,第一區域和第二區域串聯,第三區域和第四區域串聯,第一區域和第三區域并聯,第二區域和第四區域并聯,第一區域、第二區域、第三區域以及第四區域分別通過導電介質并聯一個旁路二極管。該組件結構有利于提升組件抗陰影遮擋、熱斑能力,從而提升戶外實際發電量。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,應當理解,以下附圖僅示出了本發明的某些實施例,因此不應被看作是對范圍的限定,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
圖1為本發明實施例提供的自修復劑的固化機理;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





