[發(fā)明專利]壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu)及MEMS陀螺儀有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811529259.X | 申請(qǐng)日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109682364B | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊健;韓國(guó)威;司朝偉;王曉東;寧瑾;顏偉;劉雯;楊富華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01C19/56 | 分類號(hào): | G01C19/56 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 100083 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓電 mems 結(jié)構(gòu) 陀螺儀 | ||
本發(fā)明公開了一種壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu)及MEMS陀螺儀,該壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu),包括:一T型梁結(jié)構(gòu),包括一體化的橫梁和縱梁,該T型梁結(jié)構(gòu)自下而上依次包括:襯底、下電極層和壓電材料層;第二上電極,作為檢測(cè)電極,呈T型,位于T型梁結(jié)構(gòu)之上,關(guān)于縱梁中心線對(duì)稱;以及第一上電極和第三上電極,作為驅(qū)動(dòng)電極,位于縱梁之上,對(duì)稱分布于縱梁中心線兩側(cè),與第二上電極位于縱梁上的部分相互獨(dú)立。該解耦結(jié)構(gòu)通過(guò)將其整體形狀設(shè)置為一包含一體化橫梁和縱梁的T型梁結(jié)構(gòu),并在該T型梁結(jié)構(gòu)上設(shè)置關(guān)于縱梁中心線對(duì)稱的T型檢測(cè)電極和在縱梁上對(duì)稱分布的兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電極,實(shí)現(xiàn)了完全解耦,可有效提高陀螺儀的檢測(cè)精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu)及MEMS陀螺儀。
背景技術(shù)
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS,Micro-electro Mechanical Systems)器件由于具有體積小、功耗低、成本低、易于集成等優(yōu)勢(shì),而被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子領(lǐng)域。MEMS陀螺儀是慣性導(dǎo)航中的核心器件,其根據(jù)科氏效應(yīng)原理可檢測(cè)旋轉(zhuǎn)體的角速度。根據(jù)MEMS陀螺儀的基本原理,MEMS陀螺儀包括兩個(gè)相互正交的諧振模態(tài),即:驅(qū)動(dòng)模態(tài)和檢測(cè)模態(tài)。在驅(qū)動(dòng)信號(hào)的激勵(lì)下,陀螺儀結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生諧振。當(dāng)有角速度時(shí),由于科氏效應(yīng),在科里奧利力的作用下,在檢測(cè)電極上會(huì)有檢測(cè)信號(hào)輸出。
然而由于結(jié)構(gòu)上的耦合效應(yīng),當(dāng)陀螺儀工作在驅(qū)動(dòng)模態(tài)時(shí),在沒(méi)有外界角速度作用的情況下,陀螺儀結(jié)構(gòu)在檢測(cè)方向上也會(huì)有位移變化,檢測(cè)電極上仍然會(huì)有信號(hào)輸出,該現(xiàn)象即為MEMS陀螺儀的正交耦合效應(yīng)。陀螺儀的正交耦合現(xiàn)象會(huì)嚴(yán)重影響陀螺儀的檢測(cè)精度等特性,因此需要在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中抑制正交耦合。常見(jiàn)的抑制正交耦合的方法有:靜電調(diào)諧、驅(qū)動(dòng)模態(tài)單自由度設(shè)計(jì)、檢測(cè)模態(tài)單自由度設(shè)計(jì)等。但是由于基于科氏效應(yīng)的陀螺儀本身就是依靠耦合實(shí)現(xiàn)的角速度檢測(cè),因此難以實(shí)現(xiàn)完全的解耦。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
本公開提供了一種壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu)及MEMS陀螺儀,以至少部分解決以上所提出的技術(shù)問(wèn)題。
(二)技術(shù)方案
根據(jù)本公開的一個(gè)方面,提供了一種壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu),包括:一T型梁結(jié)構(gòu)1,包括一體化的橫梁11和縱梁12,該T型梁結(jié)構(gòu)1自下而上依次包括:襯底101、下電極層102和壓電材料層103;第二上電極142,作為檢測(cè)電極,呈T型,位于T型梁結(jié)構(gòu)1之上,關(guān)于縱梁中心線120對(duì)稱;以及第一上電極141和第三上電極143,作為驅(qū)動(dòng)電極,位于縱梁12之上,對(duì)稱分布于縱梁中心線120兩側(cè),與第二上電極142位于縱梁12上的部分相互獨(dú)立。
在本公開的一些實(shí)施例中,縱梁12作為驅(qū)動(dòng)梁,橫梁11作為檢測(cè)梁。
在本公開的一些實(shí)施例中,在驅(qū)動(dòng)模態(tài)下,第一上電極141和第三上電極143連接至一對(duì)差分驅(qū)動(dòng)信號(hào),以驅(qū)動(dòng)該T型梁結(jié)構(gòu)1發(fā)生面內(nèi)振動(dòng)。
在本公開的一些實(shí)施例中,第一上電極141和第三上電極143的形狀、尺寸相同。
在本公開的一些實(shí)施例中,第二上電極142在橫梁上的部分呈長(zhǎng)條狀、蜿蜒狀、或其組合。
在本公開的一些實(shí)施例中,襯底101的材料包括如下材料的一種或其組合:硅、二氧化硅、以及SOI。
在本公開的一些實(shí)施例中,壓電材料層103的材料包括如下材料的一種或其組合:壓電單晶體、壓電多晶薄膜、多晶體壓電陶瓷、高分子壓電材料、以及聚合物-壓電陶瓷復(fù)合材料。
在本公開的一些實(shí)施例中,壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu),還包括:錨點(diǎn)15,位于縱梁12的端點(diǎn)處。
根據(jù)本公開的另一個(gè)方面,提供了一種MEMS陀螺儀,包括本公開任一項(xiàng)提到的壓電MEMS解耦結(jié)構(gòu)。
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- 專利分類
G01C 測(cè)量距離、水準(zhǔn)或者方位;勘測(cè);導(dǎo)航;陀螺儀;攝影測(cè)量學(xué)或視頻測(cè)量學(xué)
G01C19-00 陀螺儀;使用振動(dòng)部件的轉(zhuǎn)動(dòng)敏感裝置;不帶有運(yùn)動(dòng)部件的轉(zhuǎn)動(dòng)敏感裝置
G01C19-02 .旋轉(zhuǎn)式陀螺儀
G01C19-56 .使用振動(dòng)部件的轉(zhuǎn)動(dòng)敏感裝置,例如基于科里奧利力的振動(dòng)角速度傳感器
G01C19-58 .不帶有運(yùn)動(dòng)部件的轉(zhuǎn)動(dòng)敏感裝置
G01C19-60 ..電子磁共振或核磁共振陀螺測(cè)量?jī)x
G01C19-64 ..利用薩格萘克效應(yīng),即利用逆向旋轉(zhuǎn)的兩電磁束之間旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生位移的陀螺測(cè)量?jī)x
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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