[發明專利]用于半導體封裝的熱封層在審
| 申請號: | 201811529164.8 | 申請日: | 2018-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN111319869A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 任忠文;孫永奎;陳其虎;李志莉;谷勤翠 | 申請(專利權)人: | 科騰聚合物有限責任公司 |
| 主分類號: | B65D73/02 | 分類號: | B65D73/02;C08L53/02;C08L23/06;C08L57/02;C08L23/12 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張欽 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 封裝 熱封層 | ||
1.一種熱封帶,其包括基層、中間層和粘合劑層,其中:
所述基層包含雙軸拉伸的聚酯或雙軸拉伸的尼龍;
所述中間層包含線性低密度聚乙烯、低密度聚乙烯、或其混合物;
所述粘合劑層包含氫化的苯乙烯嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布的苯乙烯嵌段共聚物;
其中所述氫化的嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布嵌段共聚物具有下述任何構型:
i)包含A嵌段和B嵌段的式A-B的苯乙烯二嵌段共聚物,
i i)式A-B-A的線性三嵌段共聚物,或
i i i)式(A-B)nX的多臂偶聯的嵌段共聚物,
A是單烯基芳烴嵌段,B是共軛二烯嵌段,n是2-6的整數,X是偶聯劑的殘基;和
其中所述氫化的嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布嵌段共聚物具有0.01-50g/10min的熔體流動速率,根據ASTM D 1238在230℃和2.16kg質量下測量。
2.根據權利要求1所述的熱封帶,其還包括剝離層,
其中所述剝離層包含氫化的苯乙烯嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布的苯乙烯嵌段共聚物,和
其中所述剝離層中的氫化的苯乙烯嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布的苯乙烯嵌段共聚物與所述粘合劑層中的氫化的苯乙烯嵌段共聚物或選擇性氫化的受控分布的苯乙烯嵌段共聚物相同或不同。
3.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其中當所述熱封帶在130-220℃的操作溫度下熱封并施加到載帶上時,其根據ANSI/EIA-481-E-2015測量的剝離強度為0.1-1.0N。
4.根據權利要求3所述的熱封帶,其剝離強度為0.2-0.8N。
5.根據權利要求3所述的熱封帶,其中在將所述熱封帶暴露于60℃、95%相對濕度的氣氛下72小時后,其剝離強度的變化小于20%。
6.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其根據ASTM D1003測量的霧度值為小于30%。
7.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其根據ASTM D1003測量的霧度值為小于25%。
8.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其具有非粘性表面。
9.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其中所述粘合劑層在干燥后的厚度為0.1-25μm。
10.根據權利要求1-2中任一項所述的熱封帶,其中所述粘合劑層在干燥后的厚度為3-20μm。
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