[發明專利]一種防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置及方法

在審

• 申請號: 201811529112.0
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN111321459A
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 秦瑞鋒;魯強;姜艦;連慶偉;蓋晶虎;戴小林;吳志強
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青

本發明公開了一種防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置及方法。該裝置由懸掛板、連接桿、屏蔽環三部分組成，連接桿連接在懸掛板與屏蔽環之間；該裝置位于熱場的固化碳氈與爐體之間，屏蔽環、固化碳氈上的透光孔、爐體上的取光孔三者的幾何中心位于一條直線上。本發明可以防止高溫揮發物在走向排氣孔的過程中沉積在溫度較低的取光孔玻璃上，防止片狀高溫揮發物落在取光孔與透光孔之間造成光信號衰減，從而保證光信號的傳遞的穩定性，保證熱場溫度參考點的一致性，提高成晶率。

技術領域

本發明涉及一種防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置及方法，屬于單晶硅拉制技術領域。

背景技術

目前，采用直拉法制備單晶硅的自動化程度已經很高，其中溫度控制已經完全實現自動化。加熱功率依靠熱場設定溫度與熱場實際溫度的偏差來自動調節，而熱場溫度信號通過熱場部件中石墨材質保溫筒受熱時發出的光信號轉化而來。在單晶拉制過程中，爐中會產生大量的高溫揮發物。高溫揮發物在走向排氣孔的過程中會不斷地沉積在溫度較低的取光孔玻璃上，這就會導致取光孔玻璃的透明度發生變化，造成光信號衰減，影響光信號的傳遞。此外，高溫揮發物甚至會凝結在爐體內壁上，隨著拉晶時間的增加，揮發物會以片狀形式脫落，如果片狀揮發物搭在了取光孔與透光孔之間，也將會影響光信號的傳遞。

發明內容

本發明的目的在于提供一種防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置，以防止光信號衰減，保證光信號傳遞的穩定性，提高單晶成晶率。

本發明的另一目的在于提供一種使用上述裝置防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的方法。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

一種防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置，該裝置由懸掛板、連接桿、屏蔽環三部分組成，連接桿連接在懸掛板與屏蔽環之間；該裝置位于熱場的固化碳氈與爐體之間，屏蔽環、固化碳氈上的透光孔、爐體上的取光孔三者的幾何中心位于一條直線上。

本發明的裝置所用材質可承受500攝氏度高溫，其中，所述屏蔽環優選為石墨材質或者碳纖維材質。

優選地，所述連接桿與懸掛板的連接處為梯形狀。

優選地，所述屏蔽環的內徑大于透光孔與取光孔的內徑。

一種使用所述裝置防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的方法，包括以下步驟：

(1)檢查保溫桶與加熱器之間的距離是否相等；

(2)將固化碳氈安裝在保溫桶之外，確保固化碳氈上透光孔與爐體上取光孔的幾何中心位于一條直線上；

(3)將所述裝置安裝在固化碳氈與爐體中間，確保固化碳氈透光孔、屏蔽環、爐體上取光孔三者的幾何中心位于一條直線上。

本發明的優點在于：本發明可以防止高溫揮發物在走向排氣孔的過程中沉積在溫度較低的取光孔玻璃上，防止片狀高溫揮發物落在取光孔與透光孔之間，從而防止光信號隨著單晶爐運行時間的增長而衰減，增強光信號的傳遞的穩定性，保證熱場溫度參考點的一致性，提高成晶率。

附圖說明

圖1為本發明的防止單晶硅生長爐高溫計取光孔玻璃沾污的裝置的結構示意圖。

圖2為將本發明的裝置安放在熱場與爐體之間的結構示意圖。

具體實施方式

下面通過附圖和實施例對本發明做進一步說明，但并不意味著對本發明保護范圍的限制。