[發明專利]一種激光摻雜選擇性發射結及其制作方法

在審

• 申請號: 201811527098.0
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109545903A
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 許佳平;朱惠君;張昕宇;金浩;陳康平;姜傳偉;余云洋
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本申請公開了一種激光摻雜選擇性發射結的制作方法，通過對初步擴散發射結進行局部激光照射，以得到預處理發射結；去除預處理發射結表面的摻雜源，以得到二次處理發射結；利用預設質量分數的堿溶液，沿激光照射方向對二次處理發射結的表面進行腐蝕，腐蝕高度為預設高度，以得到激光摻雜選擇性發射結。通過激光照射使預處理發射結的被照射區域表面摻雜濃度高于未被照射區域，去除表面摻雜源，用預設質量分數的堿溶液，將二次處理發射結的表面腐蝕掉預設高度，導致未被照射區域表面的摻雜濃度降低，而被照射區域表面的摻雜濃度仍然較高，即實現不同區域表面的摻雜濃度獨立調節。本申請還提供一種具有上述優點的激光摻雜選擇性發射結。

技術領域

本申請涉及太陽電池技術領域，特別是涉及一種激光摻雜選擇性發射結及其制作方法。

背景技術

太陽電池是一種可以將太陽能轉換成電能的光伏組件，為社會提供所需的能源，有效緩解能源短缺和環境污染方面的問題。為了提高太陽電池的光電轉換效率，激光摻雜選擇性發射結技術被越來越多的光伏企業引用。

激光摻雜選擇性發射結的輕摻雜高方阻區域要求要有較低的表面濃度。激光選擇性局部照射后，被照射的區域形成重摻雜低方阻區域，被照射的區域的磷雜質重新分布。由于缺少足夠多的額外的磷雜質源，這種磷雜質重新分布的結果導致表面濃度降低，見圖1的磷雜質濃度分布曲線圖。激光摻雜后的發射結的方阻只能降低20-50ohm/sq之間，即從原來的100-150ohm/sq降低至80-100ohm/sq。

可見，激光摻雜選擇性發射結被照射區域和未被照射區域存在極強的關聯性，能獨立地控制激光摻雜選擇性發射結的被照射區域的表面濃度和未被照射區域的表面濃度。然而，為了進一步降低太陽電池的金屬電極和被照射區域之間的接觸電阻，提升太陽電池的填充因子，又要求與金屬電極接觸的被照射區域磷濃度盡可能地提高。這樣就限制了太陽電池轉換效率的提升。

發明內容

本申請的目的是提供一種激光摻雜選擇性發射結及其制作方法，以實現獨立地控制激光摻雜選擇性發射結的被照射區域的表面濃度和未被照射區域的表面濃度。

為解決上述技術問題，本申請提供一種激光摻雜選擇性發射結的制作方法，包括：

對初步擴散發射結進行局部激光照射，以得到預處理發射結；

去除所述預處理發射結表面的摻雜源，以得到二次處理發射結；

利用預設質量分數的堿溶液，沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面進行腐蝕，腐蝕高度為預設高度，以得到激光摻雜選擇性發射結。

可選的，所述沿激光照射方向對所述二次處理發射結進行腐蝕包括：

沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面均勻地進行腐蝕。

可選的，所述預設高度的取值范圍為20nm-150nm，包括端點值。

可選的，所述預設質量分數的取值范圍為1‰-5％，包括端點值。

可選的，所述堿溶液的溫度取值范圍為15℃-50℃，包括端點值。

可選的，所述沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面進行腐蝕時，腐蝕時間的取值范圍為10s-5min，包括端點值。

可選的，當所述摻雜源為磷硅玻璃時，所述去除所述預處理發射結表面的摻雜源，以得到二次處理發射結包括：

用氫氟酸溶液去除所述預處理發射結表面的磷硅玻璃，以得到二次處理發射結，所述氫氟酸溶液的質量分數取值范圍為0.5％-5％，包括端點值。

可選的，在所述利用預設質量分數的堿溶液，沿激光照射方向對所述二次處理發射結進行腐蝕，腐蝕高度為預設高度，以得到激光摻雜選擇性發射結之后還包括：