[發明專利]一種激光摻雜選擇性發射結及其制作方法在審
| 申請號: | 201811527098.0 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109545903A | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 許佳平;朱惠君;張昕宇;金浩;陳康平;姜傳偉;余云洋 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射結 選擇性發射結 被照射區域 激光摻雜 預設 預處理 二次處理 摻雜 表面摻雜 質量分數 堿溶液 去除 激光照射方向 腐蝕 表面腐蝕 獨立調節 激光照射 局部激光 濃度降低 區域表面 摻雜源 制作 申請 照射 擴散 | ||
1.一種激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,包括:
對初步擴散發射結進行局部激光照射,以得到預處理發射結;
去除所述預處理發射結表面的摻雜源,以得到二次處理發射結;
利用預設質量分數的堿溶液,沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面進行腐蝕,腐蝕高度為預設高度,以得到激光摻雜選擇性發射結。
2.如權利要求1所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述沿激光照射方向對所述二次處理發射結進行腐蝕包括:
沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面均勻地進行腐蝕。
3.如權利要求2所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述預設高度的取值范圍為20nm-150nm,包括端點值。
4.如權利要求3所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述預設質量分數的取值范圍為1‰-5%,包括端點值。
5.如權利要求4所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述堿溶液的溫度取值范圍為15℃-50℃,包括端點值。
6.如權利要求1至5任一項所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述沿激光照射方向對所述二次處理發射結的表面進行腐蝕時,腐蝕時間的取值范圍為10s-5min,包括端點值。
7.如權利要求6所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,當所述摻雜源為磷硅玻璃時,所述去除所述預處理發射結表面的摻雜源,以得到二次處理發射結包括:
用氫氟酸溶液去除所述預處理發射結表面的磷硅玻璃,以得到二次處理發射結,所述氫氟酸溶液的質量分數取值范圍為0.5%-5%,包括端點值。
8.如權利要求7所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,在所述利用預設質量分數的堿溶液,沿激光照射方向對所述二次處理發射結進行腐蝕,腐蝕高度為預設高度,以得到激光摻雜選擇性發射結之后還包括:
在所述激光摻雜選擇性發射結腐蝕后的表面形成預設厚度的氧化層。
9.如權利要求8所述的激光摻雜選擇性發射結的制作方法,其特征在于,所述在所述激光摻雜選擇性發射結腐蝕后的表面形成預設厚度的氧化層包括:
利用紫外光臭氧照射或者雙氧水溶液,在所述激光摻雜選擇性發射結腐蝕后的表面形成預設厚度的氧化層,其中,雙氧水溶液的質量分數取值范圍為5%-20%,包括端點值。
10.一種激光摻雜選擇性發射結,其特征在于,包括如權利要求1至9任一項制作方法得到的激光摻雜選擇性發射結。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





