[發(fā)明專利]金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811526866.0
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109659370A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余威
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請實施例的金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法，通過將源極、漏極的一部分與第一絕緣層設(shè)置在同一層，可以阻擋紫外光經(jīng)源極、漏極以及第一絕緣層的反射進(jìn)入導(dǎo)電溝道，進(jìn)而可以避免導(dǎo)電溝道在紫外光的照射下造成金屬氧化物薄膜晶體管的閾值電壓偏移，提高閾值電壓穩(wěn)定性以及顯示質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法。

背景技術(shù)

金屬氧化物薄膜晶體管由于具有高遷移率且適用于大面積生產(chǎn)等優(yōu)勢，成為目前顯示技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的研究熱點。

但金屬氧化物薄膜晶體管的導(dǎo)電鼓搗對于工藝和環(huán)境非常敏感，常常需要增加一道光罩采用遮光結(jié)構(gòu)對導(dǎo)電溝道層進(jìn)行保護(hù)，不利于制程成本的降低。同時，由于源極、漏極與遮光結(jié)構(gòu)之間的堆疊，使得導(dǎo)電溝道尺寸較大，寄生電容也較大。另外，導(dǎo)電溝道在紫外光的照射下，容易使得金屬氧化物薄膜晶體管的閾值電壓偏移，造成顯示器顯示效果不穩(wěn)定。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例的目的是提供一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法，能解決導(dǎo)電溝道在紫外光的照射下，容易使得金屬氧化物薄膜晶體管的閾值電壓偏移，造成顯示器顯示效果不穩(wěn)定的技術(shù)問題。

本申請實施例提供一種金屬氧化物薄膜晶體管，包括：

基板；

柵極，所述柵極設(shè)置在所述基板上；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述柵極以及所述基板上，所述第一絕緣層上設(shè)置有貫穿至所述基板的第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔位于所述柵極的一側(cè)，所述第二通孔位于所述柵極的另一側(cè)；

導(dǎo)電溝道，所述導(dǎo)電溝道設(shè)置在所述第一絕緣層上并與所述柵極相對；

源極以及漏極，所述源極設(shè)置在所述導(dǎo)電溝道的一側(cè)并延伸至所述第一通孔，所述漏極設(shè)置在所述導(dǎo)電溝道的另一側(cè)并延伸至所述第二通孔。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述源極包括第一源極部、第二源極部以及第三源極部，所述第一源極部設(shè)置在所述導(dǎo)電溝道上，所述第二源極部設(shè)置在所述第一絕緣層上，所述第三源極部覆蓋所述第一通孔；

所述漏極包括第一漏極部、第二漏極部以及第三漏極部，所述第一漏極部設(shè)置在所述導(dǎo)電溝道上，所述第二漏極部設(shè)置在所述第一絕緣層上，所述第三漏極部覆蓋所述第二通孔。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述第一源極部與所述第一漏極部相互絕緣。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述第一絕緣層包括第一絕緣部、第二絕緣部以及第三絕緣部；

所述第二絕緣部設(shè)置在所述第一通孔與所述第二通孔之間，所述第一絕緣部設(shè)置在所述第一通孔遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)，所述第三絕緣部設(shè)置在所述第二通孔遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述第二絕緣部包括設(shè)置在所述柵極上的第一子絕緣部、設(shè)置在所述柵極一側(cè)的第二子絕緣部以及設(shè)置在所述柵極另一側(cè)的第三子絕緣部；所述第一子絕緣部、所述第二子絕緣部以及所述第三子絕緣部一體成型。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述第一通孔與所述柵極之間的距離小于1um，所述第二通孔與所述柵極之間的距離小于1um。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括第二絕緣層以及遮光金屬；

所述第二絕緣層設(shè)置在所述源極、所述漏極、所述導(dǎo)電溝道以及第一絕緣層上，所述遮光金屬層設(shè)置在所述第二絕緣層上。

在本申請所述的金屬氧化物薄膜晶體管中，所述遮光金屬與所述導(dǎo)電溝道相對設(shè)置。