[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201811526866.0
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109659370A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 余威
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括：

基板；

柵極，所述柵極設置在所述基板上；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述柵極以及所述基板上，所述第一絕緣層上設置有貫穿至所述基板的第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔位于所述柵極的一側，所述第二通孔位于所述柵極的另一側；

導電溝道，所述導電溝道設置在所述第一絕緣層上并與所述柵極相對；

源極以及漏極，所述源極設置在所述導電溝道的一側并延伸至所述第一通孔，所述漏極設置在所述導電溝道的另一側并延伸至所述第二通孔。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述源極包括第一源極部、第二源極部以及第三源極部，所述第一源極部設置在所述導電溝道上，所述第二源極部設置在所述第一絕緣層上，所述第三源極部覆蓋所述第一通孔；

所述漏極包括第一漏極部、第二漏極部以及第三漏極部，所述第一漏極部設置在所述導電溝道上，所述第二漏極部設置在所述第一絕緣層上，所述第三漏極部覆蓋所述第二通孔。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一源極部與所述第一漏極部相互絕緣。

4.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一絕緣部、第二絕緣部以及第三絕緣部；

所述第二絕緣部設置在所述第一通孔與所述第二通孔之間，所述第一絕緣部設置在所述第一通孔遠離所述柵極的一側，所述第三絕緣部設置在所述第二通孔遠離所述柵極的一側。

5.根據權利要求4所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第二絕緣部包括設置在所述柵極上的第一子絕緣部、設置在所述柵極一側的第二子絕緣部以及設置在所述柵極另一側的第三子絕緣部；所述第一子絕緣部、所述第二子絕緣部以及所述第三子絕緣部一體成型。

6.根據權利要求1-5任一項所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一通孔與所述柵極之間的距離小于1um，所述第二通孔與所述柵極之間的的距離小于1um。

7.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜晶體管還包括第二絕緣層以及遮光金屬；

所述第二絕緣層設置在所述源極、所述漏極、所述導電溝道以及第一絕緣層上，所述遮光金屬層設置在所述第二絕緣層上。

8.根據權利要求7所述的金屬氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述遮光金屬與所述導電溝道相對設置。

9.一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上形成柵極；

在所述基板以及所述柵極上沉積第一絕緣層，并對所述第一絕緣層進行圖形化處理，以形成貫穿至所述基板的第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔位于所述柵極的一側，所述第二通孔位于所述柵極的另一側；

在所述第一絕緣層上形成導電溝道，所述導電溝道與所述柵極相對；

形成源極以及漏極，所述源極設置在所述導電溝道的一側并延伸至所述第一通孔，所述漏極設置在所述導電溝道的另一側并延伸至所述第二通孔。

10.根據權利要9所述的金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一通孔與所述柵極之間的距離小于1um，所述第二通孔與所述柵極之間的距離小于1um。