[發(fā)明專利]一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811526530.4 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109783861B | 公開(公告)日: | 2023-02-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳中圓;張語;張西子;陳艷芳;李翠 | 申請(專利權(quán))人: | 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/39 | 分類號: | G06F30/39;H01L21/56;G06F113/18 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人: | 吳黎 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 壓接型 igbt 器件 芯片 互補 封裝 方法 裝置 | ||
本發(fā)明實施例提供了一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法及裝置,該壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法包括:測試各待選芯片的閾值電壓;將各待選芯片按照閾值電壓的大小進行排序,得到芯片序列組;根據(jù)預(yù)設(shè)數(shù)量要求及預(yù)設(shè)篩選條件,從芯片序列組中按照排序依次選取待選芯片,得到多個待封裝芯片組;根據(jù)各待封裝芯片組中的各待選芯片的通態(tài)電阻對各待封裝芯片組進行封裝。通過實施本發(fā)明,通過對閾值電壓的篩選并考慮通態(tài)電阻的影響,減小了各個芯片中電流的差異,使得封裝于壓接型IGBT器件的各個芯片之間實現(xiàn)了互補均流,進而提高了壓接型IGBT器件的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法及裝置。
背景技術(shù)
在大功率電力電子應(yīng)用場合,壓接型器件以期多芯片并聯(lián)、失效短路,易于串聯(lián)等優(yōu)點得到廣泛應(yīng)用。壓接式IGBT器件在開通時,器件內(nèi)部每個芯片流過的電流由于芯片參數(shù)的差異,導(dǎo)致各自的電流并不相同。這必然導(dǎo)致長期工作情況下,不同的芯片通過電流長期存在差異,進而影響壓接式IGBT器件的使用壽命。在現(xiàn)有技術(shù)中還沒有簡潔有效的方式可以解決各個芯片之間電流不相同的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法及裝置,以克服現(xiàn)有技術(shù)中的壓接式IGBT器件在開通時,器件內(nèi)部每個芯片流過的電流由于芯片參數(shù)的差異,導(dǎo)致各自的電流并不相同,影響器件使用壽命的問題。
根據(jù)第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法,包括:測試各待選芯片的閾值電壓;將所述各待選芯片按照所述閾值電壓的大小進行排序,得到芯片序列組;根據(jù)預(yù)設(shè)數(shù)量要求及預(yù)設(shè)篩選條件,從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片,得到多個待封裝芯片組;根據(jù)各所述待封裝芯片組中的各所述待選芯片的通態(tài)電阻對各所述待封裝芯片組進行封裝。
結(jié)合第一方面,在第一方面的第一實施方式中,所述根據(jù)預(yù)設(shè)數(shù)量要求及預(yù)設(shè)篩選條件,從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片,得到多個待封裝芯片組,包括:
步驟S31:從所述芯片序列組中按照排序依次選取預(yù)設(shè)數(shù)量要求的多個所述待選芯片,得到備選組;
步驟S32:計算所述備選組中各所述待選芯片的各所述閾值電壓的最大偏差;
步驟S33:判斷所述最大偏差是否滿足預(yù)設(shè)偏差范圍;
步驟S34:當各所述最大偏差滿足預(yù)設(shè)偏差范圍時,將所述備選組確定為所述待封裝芯片組;
重復(fù)執(zhí)行所述步驟S31至所述步驟S34,確定多組所述待封裝芯片組,直至所述芯片序列組中芯片的數(shù)量小于所述預(yù)設(shè)數(shù)量要求。
結(jié)合第一方面的第一實施方式,在第一方面的第二實施方式中,所述根據(jù)預(yù)設(shè)數(shù)量要求及預(yù)設(shè)篩選條件,從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片,得到多個待封裝芯片組,還包括:
步驟S35:當各所述最大偏差不滿足預(yù)設(shè)偏差范圍時,從所述備選組中剔除序號最小的所述待選芯片;
步驟S36:從所述芯片序列組中按照排序選取下一序號的所述待選芯片,并將所述待選芯片補入所述備選組,返回所述步驟S32。
結(jié)合第一方面的第一實施方式,在第一方面的第三實施方式中,,通過以下公式計算所述最大偏差:
其中,β表示最大偏差,Vth,max表示所述閾值電壓的最大值,Vth,min表示所述閾值電壓的最小值,N表示芯片數(shù)量。
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