[發明專利]一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法及裝置有效
| 申請號： | 201811526530.4 | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN109783861B | 公開（公告）日： | 2023-02-10 |
| 發明（設計）人： | 陳中圓;張語;張西子;陳艷芳;李翠 | 申請（專利權）人： | 全球能源互聯網研究院有限公司 |
| 主分類號： | G06F30/39 | 分類號： | G06F30/39;H01L21/56;G06F113/18 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 吳黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 壓接型 igbt 器件 芯片 互補 封裝 方法 裝置 | ||
1.一種壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法，其特征在于，包括：
測試各待選芯片的閾值電壓；
將所述各待選芯片按照所述閾值電壓的大小進行排序，得到芯片序列組；
根據預設數量要求及預設篩選條件，從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片，得到多個待封裝芯片組；
根據各所述待封裝芯片組中的各所述待選芯片的通態電阻對各所述待封裝芯片組進行封裝；
所述根據預設數量要求及預設篩選條件，從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片，得到多個待封裝芯片組，包括：
步驟S31：從所述芯片序列組中按照排序依次選取預設數量要求的多個所述待選芯片，得到備選組；
步驟S32：計算所述備選組中各所述待選芯片的各所述閾值電壓的最大偏差；
步驟S33：判斷所述最大偏差是否滿足預設偏差范圍；
步驟S34：當各所述最大偏差滿足預設偏差范圍時，將所述備選組確定為所述待封裝芯片組；
重復執行所述步驟S31至所述步驟S34，確定多組所述待封裝芯片組，直至所述芯片序列組中芯片的數量小于所述預設數量要求；
所述根據各所述待封裝芯片組中的各所述待選芯片的通態阻值對各所述待封裝芯片組進行封裝，包括：
測試所述待封裝芯片組中的各所述待選芯片的通態電阻；
將所述待封裝芯片組中的各所述待選芯片按照所述通態電阻從小到大進行排序，得到通態電阻芯片序列組；
將所述通態電阻芯片序列組中小于預設序號的各所述待選芯片封裝于待封裝壓接型IGBT器件的中心位置，將所述通態電阻芯片序列組中大于或等于所述預設序號的各所述待選芯片封裝于所述待封裝壓接型IGBT器件的邊緣位置。
2.根據權利要求1所述的壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法，其特征在于，所述根據預設數量要求及預設篩選條件，從所述芯片序列組中按照排序依次選取所述待選芯片，得到多個待封裝芯片組，還包括：
步驟S35：當各所述最大偏差不滿足預設偏差范圍時，從所述備選組中剔除序號最小的所述待選芯片；
步驟S36：從所述芯片序列組中按照排序選取下一序號的所述待選芯片，并將所述待選芯片補入所述備選組，返回所述步驟S32。
3.根據權利要求1所述的壓接型IGBT器件的芯片互補均流封裝方法，其特征在于，
通過以下公式計算所述最大偏差：
其中，β表示最大偏差，Vth,max表示所述閾值電壓的最大值，Vth,min表示所述閾值電壓的最小值，N表示芯片數量。
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