[發明專利]一種聚合物樹脂及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 201811525923.3
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109679023A
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 許箭;秦龍;袁華;汪武平;耿文練;花雷;陳一鳴
• 申請（專利權）人: 儒芯微電子材料（上海）有限公司
• 主分類號: C08F222/40
• 分類號: C08F222/40;C08F220/14;C08F216/02;C09J135/00
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 楊飛

本發明公開了一種聚合物樹脂，其具如下通式：其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₆、R₈中的每個選自H、苯基或含1?4個碳的烷烴基團；R₅選自含1?10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類基團，苯基或芐基；R₇選自1?10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類基團；X選自含1?10個碳原子的直鏈、支鏈、環狀烴類基團，醚類基團，酯基，酰胺基團或芳香基團。本發明還公開了該聚合物樹脂的制備方法、包含該聚合物樹脂的金屬剝離膠組合物，以及金屬剝離膠組合物的應用。

技術領域

本發明涉及光刻膠技術領域，尤其涉及一種聚合物樹脂及其制備方法和包含該聚合物樹脂的金屬剝離膠組合物及其應用。

背景技術

在集成電路制造過程中光刻工藝是將光刻掩模上的圖形精確復制到待刻蝕材料(單晶硅、多晶硅、二氧化硅、鋁、銅等)表面的光刻膠上。然后在刻蝕材料光刻膠的保護作用下，選擇性刻蝕待刻蝕基底，從而在待刻蝕材料中得到想要的圖形。而對于利用常規光刻刻蝕工藝中難以腐蝕的鉭、金及硅化物以及GaAs圖形金屬化制作工藝中，則需要采用金屬剝離工藝。

金屬剝離工藝是光刻膠通過光刻顯影后，通過金屬沉積的方式在無光刻膠保護的地方有金屬保留，而有光刻膠保護的地方通過光刻膠溶解試劑剝離掉，從而獲得所需金屬圖形。普通光刻膠在沉積過程中光刻膠側邊也會有金屬沉積而很難剝離掉，因此多使用雙層工藝來實現，如圖1所示。在雙層工藝中需要使用金屬剝離膠(LOR)作為底部犧牲層，頂部為常規光刻膠，通過光刻顯影后，底部LOR會形成倒T結構，有利于后續金屬沉積和光刻膠剝離。

金屬剝離膠需要具備良好的金屬剝離特性、與基底黏附性好、熱穩定性高、與頂層光刻膠兼容性好和去膠性能優異等特點。通常頂層光刻膠使用的顯影液是堿性水溶液，因此需求金屬剝離膠在堿性水溶液中有合適的溶解性以滿足金屬剝離工藝。

發明內容

鑒于現有技術的上述需求，本發明所要解決的技術問題是如何提供一種具有優良的熱力學性能及溶解性能的聚合物樹脂，尤其作為主體樹脂配制而成的金屬剝離膠組合物能夠廣泛應用于金屬剝離工藝。

為實現上述目的，本發明提供了一種聚合物樹脂，其具有如下通式(P)：

其中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₆、R₈中的每個選自H、苯基或含1-4個碳的烷烴基團；

R₅選自含1-10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類基團，苯基或芐基；

R₇選自1-10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類基團；

X選自含1-10個碳原子的直鏈、支鏈、環狀烴類基團，醚類基團、酯基、酰胺基團或芳香基團。

進一步地，所述聚合物樹脂由馬來酰亞胺單體、N-取代的馬來酰亞胺單體、丙烯酸酯類單體和含六氟異丙醇結構單體共聚而成。由于馬來酰亞胺單體具有一定的堿溶性，可以用來較好的調節聚合物樹脂中的堿溶性。

進一步地，N-取代的馬來酰亞胺單體中的取代基為含1-10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類，苯基或芐基，優選甲基、乙基、苯基和芐基、環己基和2,6-二甲基苯基，具體結構如下述M-1-6所示：

進一步地，丙烯酸酯類單體為含有1-10個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烴類的丙烯酸酯，優選甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸叔丁酯、丙烯酸叔丁酯等。