[發明專利]分體式導流筒在審
| 申請號: | 201811525881.3 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN111321457A | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 趙旭良 | 申請(專利權)人: | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B15/14 | 分類號: | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 體式 導流 | ||
本發明提供了一種分體式導流筒,包括:上筒體,包含導通所述上筒體的頂部和底部的上通孔;下筒體,包含導通所述下筒體的頂部和底部的下通孔,所述下筒體的頂部可拆卸式連接于所述上筒體的底部,使所述上通孔和所述下通孔相連通并一同構成導流通孔。本發明所提供的分體式導流筒通過引入可拆卸連接的上筒體和下筒體,針對不同類型的半導體單晶生長更換不同結構的下筒體;當下筒體出現物料沾污時,只需更換下筒體,減少了維護成本和時間,避免了因頻繁更換整個導流筒而降低設備產能的問題。
技術領域
本發明涉及半導體晶體生長領域,特別是涉及一種分體式導流筒。
背景技術
在使用拉晶爐通過直拉法生長半導體單晶的過程中,導流筒是拉晶爐中控制熱場的重要部件,可以起到引導氬氣流及控制熱場溫度梯度的作用。目前,現有的導流筒結構已無法滿足單晶生長新工藝的不斷發展對于熱場分布愈加精細的控制要求。此外,在直拉法生長單晶的過程中,導流筒的底部還常常會被坩堝中熔融的物料沾污,為了避免影響單晶生長質量,當物料沾污達到一定程度后一般會對整個導流筒進行更換,這就會額外增加設備的維護成本和時間。
因此,有必要提出一種新的分體式導流筒,解決上述問題。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種分體式導流筒,用于解決現有技術中頻繁更換導流筒導致產能低下的問題。
為實現上述目的及其它相關目的,本發明提供了一種分體式導流筒,其特征在于,包括:
上筒體,包含導通所述上筒體的頂部和底部的上通孔;
下筒體,包含導通所述下筒體的頂部和底部的下通孔,所述下筒體的頂部可拆卸式連接于所述上筒體的底部,使所述上通孔和所述下通孔相連通并一同構成導流通孔。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的頂部內表面和所述上筒體的底部內表面連接部分為直紋曲面。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的頂部通過旋轉脫扣結構連接所述上筒體的底部。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的頂部通過銷接結構連接所述上筒體的底部。
作為本發明的一種可選方案,所述導流通孔的徑向尺寸自上而下逐漸減小。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的高度占所述上筒體的高度的四分之一至二分之一。
作為本發明的一種可選方案,所述分體式導流筒的外壁的徑向尺寸自上而下逐漸減小。
作為本發明的一種可選方案,所述上筒體和所述下筒體的組成材料包含石墨。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體為多個,分別具有不同的下底面構造,且可選地與所述上筒體的底部連接。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的下底面包含平面。
作為本發明的一種可選方案,所述下筒體的下底面上形成有凹槽。
作為本發明的一種可選方案,所述凹槽包含環狀凹槽結構,且所述環狀凹槽結構的圓心位于所述導流通孔的軸線上。
如上所述,本發明提供了一種分體式導流筒,通過引入可拆卸連接的上筒體和下筒體,針對不同類型的半導體單晶生長更換不同結構的下筒體;當下筒體出現物料沾污時,只需要更換下筒體,減少了維護成本和時間,避免了因頻繁更換整個導流筒而降低設備產能的問題。
附圖說明
圖1顯示為本發明實施例一中提供的分體式導流筒的橫截面示意圖。
圖2顯示為本發明實施例一中提供的分體式導流筒的俯視圖。
圖3顯示為本發明實施例一中提供的分體式導流筒的仰視圖。
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