[發明專利]一種用于制備透明顯示屏格柵的設備及其生產工藝在審
| 申請號: | 201811525486.5 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109585517A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 顧瓊;毛秀芬;王瑩;鄧大慶 | 申請(專利權)人: | 顧瓊 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 合肥中谷知識產權代理事務所(普通合伙) 34146 | 代理人: | 洪玲 |
| 地址: | 230000 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 格柵 磁控濺射系統 透明顯示屏 定位系統 供氣系統 真空系統 熱蒸發 掩膜 前處理 鍍膜 生產工藝 表面前處理 沉積薄膜 襯底表面 傳送機構 功能機構 加熱系統 平行操作 生產效率 襯底 單片 腔體 薄膜 生產 | ||
本發明涉及一種用于制備透明顯示屏格柵的設備及其生產工藝,該設備包括前處理機構、若干鍍膜機構、傳送機構和其他功能機構,所述前處理機構包括表面前處理腔;所述鍍膜機構包括Si膜制備腔、Au膜制備腔和Si基格柵制備腔,所述Si膜制備腔設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統;所述Au膜制備腔設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統;所述Si基格柵制備腔設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統、掩膜定位系統和加熱系統。本發明通過設置多個相互獨立的腔體,在襯底表面沉積薄膜,各操作可平行操作,降低單片襯底薄膜的生產時間,提高設備的利用率及透明顯示屏格柵的生產效率。
技術領域
本發明屬于顯示屏格柵制備技術領域,具體涉及一種用于制備透明顯示屏格柵的設備及其生產工藝。
背景技術
透明顯示屏是未來顯示應用的重要趨勢,透明顯示屏的透光率高、亮度高,不僅能夠讓屏幕后的光線透過,同時能夠在屏幕上呈現出鮮艷亮麗的影像效果,讓用戶感受到層次豐富、與實景結合的立體影像,具有極佳的視覺體驗和未來感。透明顯示屏將以OLED(有機發光二極管)材料制作RGB像素,通常制作這些均勻分布的像素前需要首先制作格柵,用格柵對形成像素的多層顯示材料層進行隔離。常規制作格柵陣列的方法是通過光刻機多次涂膠、曝光、清洗操作才能制作出臺階狀格柵,需要昂貴的光刻機和復雜的制作流程,大大增加了制作成本和時間。因此,開發一種能夠簡化顯示屏格柵的制備流程,降低生產成本,提高設備利用效率和生產效率的透明顯示屏格柵的用于制備設備具有重要的經濟、社會和現實意義。
發明內容
本發明的目的就在于為了解決上述問題而提供一種結構簡單,設計合理的用于制備透明顯示屏格柵的設備及其生產工藝。
本發明通過以下技術方案來實現上述目的:
一種用于制備透明顯示屏格柵的設備,包括前處理機構、若干鍍膜機構、傳送機構和其他功能機構,所述前處理機構包括表面前處理腔,其內部設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統、掩膜定位系統;
所述鍍膜機構包括Si膜制備腔、Au膜制備腔和Si基格柵制備腔,所述Si膜制備腔內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統;
所述Au膜制備腔內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統;
所述Si基格柵制備腔內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統、掩膜定位系統和加熱系統。
通過采用上述技術方案,可逐步對襯底表面沉積Si和Au薄膜,并最終生長出柱狀格柵,且分為多個腔體,以方便不同制備步驟平行展開,縮短單片生產時間,提高設備利用效率和生產效率。
作為本發明的進一步優化方案,所述其他功能機構包括若干功能腔,各功能腔內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統中的一種或多種。
通過采用上述技術方案,可在襯底表面生長RGB發光功能層。
作為本發明的進一步優化方案,各所述機構之間通過共用腔相互連通,各機構與共用腔的連接處設置有若干相應的法蘭和閥門。
通過采用上述技術方案,每個腔體既可以獨立使用互不干擾,也可以通過傳送機構和控制系統進行協同使用。
作為本發明的進一步優化方案,所述襯底包括玻璃等透明材料和提前制備了功能薄膜層的透明材料。
一種用于制備透明顯示屏格柵設備的生產工藝,包括以下步驟:
S1:襯底的表面預處理
將襯底材料放置于傳送機構上,由控制器啟動各機構,將襯底傳送至表面前處理腔,通過等離子清洗方式對襯底表面進行清洗;
S2:制備Si膜層
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





