[發明專利]一種用于制備透明顯示屏格柵的設備及其生產工藝

在審

• 申請號: 201811525486.5
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109585517A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 顧瓊;毛秀芬;王瑩;鄧大慶
• 申請（專利權）人: 顧瓊
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 合肥中谷知識產權代理事務所(普通合伙) 34146
• 代理人: 洪玲

1.一種用于制備透明顯示屏格柵的設備，其特征在于：包括前處理機構、若干鍍膜機構、傳送機構(8)和其他功能機構，所述前處理機構包括表面前處理腔(1)，所述前處理腔(1)的內部設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統、掩膜定位系統；

所述鍍膜機構包括Si膜制備腔(2)、Au膜制備腔(3)和Si基格柵制備腔(4)，所述Si膜制備腔(2)內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統；

所述Au膜制備腔(3)內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統；

所述Si基格柵制備腔(4)內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統、掩膜定位系統和加熱系統。

2.根據權利要求1所述的一種用于制備透明顯示屏格柵的設備，其特征在于：所述其他功能機構包括若干功能腔，各功能腔內設置有真空系統、供氣系統、熱蒸發系統、磁控濺射系統和掩膜定位系統中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的一種用于制備透明顯示屏格柵的設備，其特征在于：各所述機構之間通過共用腔(7)相互連通，各機構與共用腔(7)的連接處設置有若干相應的法蘭(6)和閥門。

4.根據權利要求1所述的一種用于制備透明顯示屏格柵的設備，其特征在于：所述襯底(11)包括玻璃等透明材料和提前制備了功能薄膜層的透明材料。

5.一種用于制備透明顯示屏格柵設備的生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1：襯底(11)的表面預處理

將襯底(11)材料放置于傳送機構(8)上，由控制器啟動各機構，將襯底(11)傳送至表面前處理腔(1)，通過等離子清洗方式對襯底(11)表面進行清洗；

S2：制備Si膜(21)層

傳送機構(8)將預處理后的襯底(11)輸送至Si膜制備腔(2)，Si基靶材表面產生的Si粒子沉積到襯底(11)的掩膜鏤空處，生長出Si薄膜；

S3：制備Au膜層

傳送機構(8)將沉積有Si膜(21)的襯底(11)輸送至Au膜制備腔(3)，將Au基靶材表面產生的Au粒子沉積到襯底(11)的掩膜鏤空處，形成Si/Au薄膜(31)；

S4：制備Si基格柵(41)

傳送機構(8)將表面沉積有Si/Au薄膜(31)的襯底(11)輸送至Si基格柵制備腔(4)，通過加熱系統對襯底(11)進行加熱，通入含Si的氣體進行反應，最終在Si/Au薄膜(31)處生長出柱狀格柵。

6.根據權利要求5所述的一種用于制備透明顯示屏格柵設備的生產工藝，其特征在于：所述步驟S2中Si薄膜制備方式為通過磁控濺射、電子束蒸發或激光脈沖蒸發，生長出的所述Si薄膜的厚度為2～10nm，等效直徑為10nm～2000nm。

7.根據權利要求5所述的一種用于制備透明顯示屏格柵設備的生產工藝，其特征在于：所述步驟S3中Au薄膜制備方式為磁控濺射、電子束蒸發或激光脈沖蒸發，生長出的所述Au薄膜的厚度為1～8nm，等效直徑為10nm～2000nm。

8.根據權利要求5所述的一種用于制備透明顯示屏格柵設備的生產工藝，其特征在于：所述步驟S4中加熱后溫度保持在365～600，℃所述含Si氣體的流速為1sccm～1000sccm，生長出的所述Si基格柵(41)的直徑為10～500nm，高度為200～5000nm。