[發明專利]一種TixSi1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法在審
| 申請號: | 201811524716.6 | 申請日: | 2018-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN109706430A | 公開(公告)日: | 2019-05-03 |
| 發明(設計)人: | 蘇曉磊;張朋;賈艷;劉毅 | 申請(專利權)人: | 西安工程大學 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 曾慶喜 |
| 地址: | 710048 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復合導電涂層 制備 磁控濺射法 銅基體 放入 耐磨性 采用直流 超聲清洗 磁控濺射 抗氧化性 無水乙醇 真空烘干 整體合金 銅表面 丙酮 沉積 水中 離子 室內 環保 | ||
本發明公開了一種TixSi1?xC/Ag復合導電涂層的制備方法,首先將銅基體依次放入丙酮、無水乙醇和去離子水中進行超聲清洗,之后真空烘干,再將銅基體放入磁控濺射真空室內的樣品臺上,采用直流磁控濺射法沉積TixSi1?xC/Ag復合導電涂層。將本發明方法制備的TixSi1?xC/Ag復合導電涂層用于銅表面,通過整體合金化提高了Cu的硬度、抗氧化性和耐磨性;通過磁控濺射法在Cu基體制備TixSi1?xC/Ag復合導電涂層的制備方法,工藝簡單,效率高,經濟環保,且涂層質更高。
技術領域
本發明屬于涂層制備技術領域,具體涉及一種TixSi1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法。
背景技術
Cu的表面改性技術有熱噴涂法、激光熔覆法、電鍍工藝、相沉積技術等,作為傳統工藝,熱噴涂處理所獲得的涂層與基體結合強度低,缺陷多,工藝較難控制,成本較高,且污染較嚴重;激光熔覆法中激光發生器設備價格昂貴,操作困難,需要特殊的防護,溫度過高Cu會熔化;氣相沉積技術因其生產成本和工件尺寸的限制,適用于比較精密的小型工件改性;電鍍工藝比較成熟,但污染問題成為其發展的瓶頸。Cu硬度低,易氧化,并且耐磨性差,這使得其在許多場合的應用受到限制,通過整體合金化可以提高抗氧化性和耐磨性,但同時會降低電學性能,因此,尋找一種新的Cu的表面改性技術,使得其工藝簡單,成本低,環保,并且可以得到具有良好耐磨性、力學性能、抗氧化性,耐化學腐蝕性和高導電性TixSi1-xC/Ag復合導電涂層是很有必要的。
發明內容
本發明的目的是提供一種TixSi1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法,解決了現有方法制備的復合導電涂層耐磨性和抗氧化性能差的問題。
本發明所采用的技術方案是,一種TixSi1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法,具體按照以下步驟實施:
步驟1,將純度為99.99%的銅基體依次放入丙酮、無水乙醇和去離子水中進行超聲清洗,之后真空烘干;
步驟2,將經步驟1處理的銅基體放入磁控濺射真空室內的樣品臺上,采用直流磁控濺射法沉積TixSi1-xC/Ag復合導電涂層。
本發明的特點還在于,
步驟2中,采用直流磁控濺射法沉積TixSi1-xC/Ag復合導電涂層,具體步驟如下:
步驟2.1,對銅基體進行Ni靶濺射;
具體為:選用純度為99.999%Ni靶作為靶材,以純度為99.999%的氬氣作為起輝氣體,真空度為2.0×10-4~5.0×10-4Pa,通入氬氣進行Ni靶的預濺射,預濺射功率為60~100W,預濺射時間為5~10min,之后將Ni靶的濺射功率調至60~180W,進行濺射,濺射時間為10~30min,
步驟2.2,經步驟2.1后,對銅基體進行Ti3SiC2復合靶和Ag靶的共濺射,即可得到TixSi1-xC/Ag復合導電涂層;
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