[發明專利]一種TixSi1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法

在審

• 申請號: 201811524716.6
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN109706430A
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 蘇曉磊;張朋;賈艷;劉毅
• 申請（專利權）人: 西安工程大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 曾慶喜

1.一種Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法，其特征在于，具體按照以下步驟實施：

步驟1，將純度為99.99％的銅基體依次放入丙酮、無水乙醇和去離子水中進行超聲清洗，之后真空烘干；

步驟2，將經步驟1處理的銅基體放入磁控濺射真空室內的樣品臺上，采用直流磁控濺射法沉積Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層。

2.根據權利要求1所述的一種Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟2中，采用直流磁控濺射法沉積Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層，具體步驟如下：

步驟2.1，對銅基體進行Ni靶濺射；

具體為：選用純度為99.999％Ni靶作為靶材，以純度為99.999％的氬氣作為起輝氣體，真空度為2.0×10^-4～5.0×10^-4Pa，通入氬氣進行Ni靶的預濺射，預濺射功率為60～100W，預濺射時間為5～10min，之后將Ni靶的濺射功率調至60～180W，進行濺射，濺射時間為10～30min，

步驟2.2，經步驟2.1后，對銅基體進行Ti₃SiC₂復合靶和Ag靶的共濺射，即可得到Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層；

具體為：選用Ti₃SiC₂復合靶和純度為99.999％的Ag靶作為靶材，以純度為99.999％的氬氣作為起輝氣體，真空度為2.0×10^-4～5.0×10^-4Pa，先通入氬氣進行Ti₃SiC₂復合靶和Ag靶的預濺射，Ti₃SiC₂復合靶的預濺射功率為60～120W，預濺射時間為6～10min，Ag靶預濺射的功率為100～250W，預濺射時間為5～10min，之后將Ti₃SiC₂復合靶的濺射功率調至100～300W，濺射時間調至30～180min，Ag靶的濺射功率調至100～300W，濺射時間調至10～30min，進行Ti₃SiC₂復合靶和Ag靶的共濺射，即可得到Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層。

3.根據權利要求2所述的一種Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟2.1中，預濺射和濺射時，氬氣流量為15～60ml/s，銅基體溫度為25～300℃，濺射氣壓為1.5～3.5Pa，靶材與銅基體之間的距離為6～12cm，沉積厚度1～3μm。

4.根據權利要求2所述的一種Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟2.2中，預濺射和濺射時，氬氣流量為30～60ml/s，銅基體溫度為25～300℃，濺射氣壓3～7Pa，靶材與銅基體之間的距離為6～12cm，沉積厚度為1.5～5μm。

5.根據權利要求1所述的一種Ti_xSi_1-xC/Ag復合導電涂層的制備方法，其特征在于，所述步驟1中，清洗時間均為8～12min；烘干溫度為50～80℃，烘干時間為10～15min。