[發明專利]一種平鋪式擴散裝置在審
| 申請號： | 201811524523.0 | 申請日： | 2018-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN109360802A | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發明（設計）人： | 何振杰 | 申請（專利權）人： | 杭州海萊德智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州市濱*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳送裝置 平鋪式 擴散裝置 硅片 硅片表面 加熱裝置 擴散腔 摻雜 傳送 光電轉換效率 大尺寸硅片 自動化傳輸 超薄硅片 傳動方式 多點支撐 多組滾輪 高溫加熱 技術難度 擴散腔體 體內運動 產業化 滾輪 結深 加熱 轉動 電池 體內 | ||
【權利要求書】：
1.一種平鋪式擴散裝置，其特征在于，包括擴散腔體，所述擴散腔體內設置有用以傳送硅片的傳送裝置和用于對所述傳送裝置上的硅片進行高溫加熱的第一加熱裝置，所述第一加熱裝置設置在所述傳送裝置的上方；
所述傳送裝置由多組滾輪構成，滾輪通過轉動以傳送硅片在所述擴散腔體內運動。
2.如權利要求1所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，所述第一加熱裝置為多組加熱燈管，每組加熱燈管均對應設置在每組滾輪的正上方。
3.如權利要求2所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，所述擴散腔體內還設置有第二加熱裝置，所述第二加熱裝置為多組加熱燈管，每組加熱燈管均對應設置在相鄰的兩組滾輪中間。
4.如權利要求3所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，兩組滾輪正上方對應設置的兩組加熱燈管與兩組所述滾輪中間的一組加熱燈管的中心的連接線呈等邊三角形。
5.如權利要求4所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，所述擴散腔體為石英腔體。
6.如權利要求5所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，所述加熱燈管為鹵素燈管或紅外燈管。
7.如權利要求1至6任一項所述的平鋪式擴散裝置，其特征在于，所述擴散腔體內飽和填充有氮氣。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
