[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201811524008.2
• 申請日: 2017-03-08
• 公開（公告）號: CN109935593B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 呂震宇;宋立東;李勇娜;潘鋒;楊偉毅;施文廣
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 董琳

1.一種3D NAND存儲器件，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的堆疊層，所述堆疊層包括沿字線方向依次排布的第一區域、第二區域和第三區域；其中，

所述第二區域位于所述第一區域和所述第三區域之間，所述第二區域中形成有貫通的絕緣環，所述絕緣環內的堆疊層中形成有貫通接觸孔，所述絕緣環內的堆疊層為相互間隔堆疊的氧化物層和氮化物層，所述絕緣環外的堆疊層為相互間隔堆疊的氧化物層和金屬層；

所述第一區域和所述第三區域中形成有用于形成存儲器件的溝道孔，所述第一區域、所述絕緣環外的第二區域和所述第三區域中形成有用于劃分塊存儲區的柵線縫隙。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述堆疊層還包括位于所述第一區域和所述第二區域之間的第四區域，以及位于所述第二區域和所述第三區域之間的第五區域；所述第四區域和所述第五區域的堆疊層中形成有偽溝道孔；所述柵線縫隙位于所述第一區域、所述第四區域、所述絕緣環外的第二區域、所述第五區域以及所述第三區域的堆疊層中。

3.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述絕緣環之外的第二區域的堆疊層中形成有偽溝道孔。

4.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，所述堆疊層至少有一側為階梯結構，所述溝道孔的頂部形成有阻擋層，所述阻擋層與所述柵線縫隙的一端以及所述堆疊層的階梯結構上均形成第一連接件，多個所述第一連接件分別通過過孔與第一金屬相連。

5.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成堆疊層，所述堆疊層包括沿字線方向依次排布的第一區域、第二區域和第三區域；

分別在所述第一區域、第三區域的堆疊層中形成溝道孔以及在所述第二區域的堆疊層中形成貫通的絕緣環；

在所述溝道孔的頂部形成阻擋層，并為所述阻擋層填充預設半導體材料；

在所述第一區域、所述絕緣環外的第二區域和所述第三區域中形成柵線縫隙；

在所述阻擋層與所述柵線縫隙的一端以及所述堆疊層階梯結構上均形成第一連接件；

在所述絕緣環內的堆疊層中形成貫通接觸孔以及在所述堆疊層階梯結構上形成第二連接件；

在所述第一連接件以及所述第二連接件的上方打過孔，并形成第一金屬層，使得所述第一金屬層中的多個所述第一金屬分別通過所述過孔與所述第一連接件以及所述第二連接件電連接。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述堆疊層還包括位于所述第一區域和所述第二區域之間的第四區域，以及位于所述第二區域和所述第三區域之間的第五區域；所述方法還包括：在所述第四區域和所述第五區域中形成柵線縫隙。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述分別在所述第一區域、第三區域的堆疊層中形成溝道孔以及在所述第二區域的堆疊層中形成貫通的絕緣環的同時，還在所述第四區域、所述第五區域和所述絕緣環之外的第二區域的疊層中形成偽溝道孔。

8.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括：同時在所述堆疊層的至少一側形成堆疊層階梯結構，以及在所述第四區域或所述第五區域的堆疊層中的上兩層氧化物層和氮化物層靠近所述絕緣環的一側形成階梯結構。