[發(fā)明專(zhuān)利]氧化鎢納米顆粒和多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811522818.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109594044A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 胡明;秦岳;強(qiáng)曉永;周立偉;趙博碩 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 天津大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/18 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/18;C23C14/35;C23C18/04;C23C18/12;C23C28/00;G01N27/12 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責(zé)任專(zhuān)利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 琪琛 |
| 地址: | 300072*** | 國(guó)省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣敏傳感器 多孔硅 氧化鎢納米 復(fù)合結(jié)構(gòu) 制備 二氧化氮?dú)怏w 靈敏度 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) 多孔硅氧化 二氧化氮 顆粒結(jié)構(gòu) 氣敏性能 鹽酸反應(yīng) 制備工藝 熱退火 鎢酸鈉 氧化鎢 異質(zhì)結(jié) 鎢酸 探測(cè) 應(yīng)用 開(kāi)發(fā) | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鎢納米顆粒和多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器及制備方法,依順序利用鎢酸鈉和鹽酸反應(yīng)生成鎢酸溶膠,利用熱退火工藝在多孔硅頂部形成氧化鎢納米顆粒結(jié)構(gòu),利用半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)多孔硅對(duì)二氧化氮?dú)怏w靈敏度和選擇性的提升,從而制備有良好二氧化氮探測(cè)能力的氣敏傳感器。本發(fā)明氣敏傳感器利用氧化鎢與多孔硅間異質(zhì)結(jié)的影響,提升了多孔硅的氣敏性能,在室溫下對(duì)二氧化氮?dú)怏w具有較高的靈敏度和較好的選擇性,適宜應(yīng)用在氣敏傳感器的進(jìn)一步開(kāi)發(fā)中。同時(shí),這種多孔硅氧化鎢復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器的制備工藝重復(fù)性高,具有大規(guī)模生產(chǎn)的潛力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種氣敏傳感器,具體涉及一種氧化鎢納米顆粒和多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器及制備方法。
背景技術(shù)
由于長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)發(fā)展中的環(huán)境因素考慮不足等因素,以及城市規(guī)模的不斷擴(kuò)大,我國(guó)空氣質(zhì)量明顯惡化,常出現(xiàn)極端大氣污染事件。我國(guó)空氣環(huán)境的主要污染物包括PM2.5、PM10、臭氧(O3)、二氧化氮(NO2)、一氧化碳(CO)和二氧化硫(SO2)等。二氧化氮空氣污染已被證實(shí)與人的健康有著密切相關(guān)的影響,長(zhǎng)時(shí)間生活在二氧化氮污染物超標(biāo)環(huán)境中會(huì)增加人罹患呼吸道、心血管等疾病的風(fēng)險(xiǎn)。近年來(lái),人們對(duì)于空氣質(zhì)量的改善有強(qiáng)烈意愿,對(duì)于二氧化氮等有害氣體的檢測(cè)越發(fā)引起重視。因此,對(duì)二氧化氮?dú)怏w具有良好選擇性和靈敏度的氣敏傳感器有良好的發(fā)展前景。
多孔硅是一種硅基氣敏材料,屬于低維微米-納米材料,具有極大的比表面積,能夠在室溫下探測(cè)多種氣體,同時(shí)兼容集成電路工藝,被視為極具應(yīng)用前景的氣敏材料。當(dāng)前多孔硅氣敏材料的問(wèn)題集中在其靈敏度不高、選擇性較差這兩方面。
多孔硅對(duì)二氧化氮的氣敏響應(yīng)機(jī)理在于:空氣中的二氧化氮分子吸附在多孔硅表面,與多孔硅之間發(fā)生電子轉(zhuǎn)移,使多孔硅表面電子濃度下降,從而引起多孔硅電阻的變化。傳感器器件在空氣中的電阻值定義為Ra,器件在二氧化氮環(huán)境中的電阻定義為Rg。半導(dǎo)體的載流子為半導(dǎo)體中可以自由移動(dòng)的帶有電荷的物質(zhì)微粒,包括電子和空穴。載流子中較多的載流子多子為電子的多孔硅稱(chēng)為N型多孔硅,對(duì)二氧化氮響應(yīng)時(shí)電阻上升,使得Rg>Ra;載流子多子為空穴的多孔硅為P型多孔硅,對(duì)二氧化氮響應(yīng)時(shí)電阻下降,使得Rg<Ra。
氧化鎢是一種金屬氧化物半導(dǎo)體材料,可由對(duì)鎢酸膠體進(jìn)行高溫?zé)崽幚碇苽涞脕?lái)。
半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)是指不同種類(lèi)的半導(dǎo)體材料間形成電學(xué)接觸后形成的一種結(jié)構(gòu)。形成異質(zhì)結(jié)的材料間會(huì)產(chǎn)生載流子遷移,使材料載流子濃度發(fā)生變化。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種氧化鎢納米顆粒和多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器及制備方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中多孔硅對(duì)二氧化氮?dú)怏w的靈敏度和選擇性差的問(wèn)題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種氧化鎢納米顆粒和多孔硅復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器,由以下方法制得:
(1)清洗硅基片:
將硅基片依次浸入以下清洗液中清洗:濃硫酸和雙氧水混合溶液;氫氟酸溶液;丙酮;乙醇;清洗后的硅基片放入乙醇中備用;
(2)制備多孔硅:
采用雙槽電化學(xué)腐蝕法對(duì)步驟(1)中硅基片進(jìn)行腐蝕,以制備多孔硅層;腐蝕電源為恒流穩(wěn)壓電源,腐蝕中電流保持不變;腐蝕液為氫氟酸水溶液;
(3)制備鎢酸:
將鎢酸鈉粉末溶于去離子水中,形成濃度為0.05mol/L的鎢酸鈉溶液;在鎢酸鈉溶液中滴加濃度為6mol/L的鹽酸溶液,鹽酸溶液與鎢酸鈉溶液的體積比為3-5:100,將溶液離心,形成黃色鎢酸沉淀;
(4)制備鎢酸溶膠:
將步驟(3)中鎢酸沉淀中加入30%過(guò)氧化氫溶液,再加入80%乙醇溶液,攪拌生成鎢酸溶膠;
(5)在多孔硅上旋涂鎢酸:
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C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
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