[發明專利]一種顯示面板在審
| 申請號: | 201811516758.5 | 申請日: | 2018-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN109585686A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發明(設計)人: | 唐岳軍;李雪云 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非發光區 顯示面板 子像素區 顯示區 黑矩陣層 顯示裝置 陣列排列 出光率 發光區 黑矩陣 環境光 金屬層 反射 遮擋 吸收 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括
顯示區,其中具有若干陣列排列的子像素區,每一子像素區包括發光區和非發光區;
黑矩陣層,設于所述非發光區中。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,還包括
陣列基板,所述子像素區分布所述陣列基板中;
封裝結構,設于所述陣列基板上;
所述黑矩陣層設于
所述封裝結構中;和/或
所述封裝結構上方;和/或
所述封裝結構與所述陣列基板之間。
3.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝結構包括至少一無機層和至少一有機層;所述無機層和所述有機層相互交疊。
4.根據權利要求3所述顯示面板,其特征在于,當所述黑矩陣層設于所述封裝結構中時,在每一子像素區中,所述黑矩陣層設于至少一所述無機層中和/或設于至少一所述有機層中。
5.根據權利要求4所述顯示面板,其特征在于,當所述黑矩陣層設于所述有機層中,所述有機層覆蓋所述黑矩陣層;
或者所述有機層中具有若干對應所述發光區的空隙,所述黑矩陣層填充于所述空隙中。
6.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝結構朝向所述陣列基板的一側為一有機層;
所述黑矩陣層設于所述封裝結構與所述陣列基板之間。
7.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝結構朝向所述陣列基板的一側為一無機層;
所述黑矩陣層設于所述封裝結構與所述陣列基板之間。
8.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述封裝結構最遠離所述陣列基板的一側為一無機層,當所述黑矩陣層設于所述封裝結構上方時,所述黑矩陣層設于最遠離所述陣列基板的一側的無機層上。
9.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板包括
薄膜晶體管結構層,具有若干個薄膜晶體管,每一薄膜晶體管對應一所述子像素區;以及
若干第一電極,對應的設于所述薄膜晶體管結構層上且與所述薄膜晶體管連接,每一第一電極對應于所述發光區;
發光材料層,對應的設于所述發光區中的所述第一電極上;
第二電極,設于所述發光材料層上;
所述封裝結構設于所述第二電極上。
10.如權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,所述第一電極為陽極,所述第二電極為陰極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





