[發(fā)明專利]一種顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811516758.5 | 申請日: | 2018-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN109585686A | 公開(公告)日: | 2019-04-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐岳軍;李雪云 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非發(fā)光區(qū) 顯示面板 子像素區(qū) 顯示區(qū) 黑矩陣層 顯示裝置 陣列排列 出光率 發(fā)光區(qū) 黑矩陣 環(huán)境光 金屬層 反射 遮擋 吸收 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板,包括顯示區(qū),其中顯示區(qū)具有若干陣列排列的子像素區(qū),每一子像素區(qū)包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū);黑矩陣層對應(yīng)的設(shè)于所述非發(fā)光區(qū)中,黑矩陣用于遮擋金屬層對環(huán)境光的反射并吸收,進而提高出光率、提高顯示裝置的對比度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板。
背景技術(shù)
目前,有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器作為用于顯示圖像的顯示設(shè)備已備受關(guān)注。OLED顯示器與液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)設(shè)備不同,OLED顯示器具有自發(fā)光特性,并且不采用單獨的光源,因此可以被制造的比采用單獨光源的顯示設(shè)備薄和輕,相對容易實現(xiàn)柔性、可折疊顯示的特性。由于OLED顯示器發(fā)光器件有多層金屬層結(jié)構(gòu),因此OLED顯示器會反射環(huán)境光至人眼影響圖像的觀察,所以O(shè)LED顯示器在顯示器表面設(shè)置有抗反射層結(jié)構(gòu),通常使用圓偏光片(Polarizer,POL)將被金屬反射的環(huán)境光吸收,然而圓POL的使用將使得出光效率低下,進而導(dǎo)致OLED顯示器的對比度下降。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,提供一種顯示面板及顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中金屬層對環(huán)境光的反射并吸收,導(dǎo)致出光效率低下、OLED顯示器對比度下降的技術(shù)問題。
本發(fā)明提供一種顯示面板,包括顯示區(qū)及黑矩陣層,其中所述顯示區(qū)具有若干陣列排列的子像素區(qū),每一子像素區(qū)包括發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū);所述黑矩陣層設(shè)于所述非發(fā)光區(qū)中。
進一步地,所述的顯示面板還包括陣列基板及封裝結(jié)構(gòu),所述子像素區(qū)分布所述陣列基板中;所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)于所述陣列基板上;所述黑矩陣層設(shè)于所述封裝結(jié)構(gòu)中;和/或所述封裝結(jié)構(gòu)上方;和/或所述封裝結(jié)構(gòu)與所述陣列基板之間。
進一步地,所述封裝結(jié)構(gòu)包括至少一無機層和至少一有機層;所述無機層和所述有機層相互交疊。
進一步地,當所述黑矩陣層設(shè)于所述封裝結(jié)構(gòu)中時,在每一子像素區(qū)中,所述黑矩陣層設(shè)于至少一所述無機層中和/或設(shè)于至少一所述有機層中。
進一步地,當所述黑矩陣層設(shè)于所述有機層中,所述有機層覆蓋所述黑矩陣層或者所述有機層中具有若干對應(yīng)所述發(fā)光區(qū)的空隙,所述黑矩陣層填充于所述空隙中。
進一步地,所述封裝結(jié)構(gòu)朝向所述陣列基板側(cè)為一有機層;所述黑矩陣層設(shè)于所述封裝結(jié)構(gòu)與所述陣列基板之間。
進一步地,所述封裝結(jié)構(gòu)朝向所述陣列基板側(cè)為一無機層;所述黑矩陣層設(shè)于所述封裝結(jié)構(gòu)與所述陣列基板之間。
進一步地,所述封裝結(jié)構(gòu)最遠離所述陣列基板的一側(cè)為一無機層,當所述黑矩陣層設(shè)于所述封裝結(jié)構(gòu)上方時,所述黑矩陣層設(shè)于最遠離所述陣列基板的一側(cè)的無機層上。
進一步地,所述陣列基板包括薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層、若干第一電極、發(fā)光材料層以及第二電極,所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層具有若干個薄膜晶體管,每一薄膜晶體管對應(yīng)一所述子像素區(qū);所述第一電極對應(yīng)的設(shè)于所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)層上且與所述薄膜晶體管連接,每一所述第一電極對應(yīng)于所述發(fā)光區(qū);所述發(fā)光材料層對應(yīng)的設(shè)于所述發(fā)光區(qū)中的所述第一電極上;所述第二電極設(shè)于所述發(fā)光材料層上;所述封裝結(jié)構(gòu)設(shè)于所述第二電極上。
進一步地,所述第一電極為陽極,所述第二電極為陰極。
本發(fā)明的技術(shù)效果在于,黑矩陣層對應(yīng)的設(shè)于所述非發(fā)光區(qū)中,黑矩陣用于遮擋金屬層對環(huán)境光的反射并吸收,進而提高出光率、提高顯示裝置的對比度。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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