[發(fā)明專利]電子部件模塊

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811514125.0
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN110034740A
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設計）人: 巖本英樹
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李國華

1.一種電子部件模塊，具有彈性波裝置以及安裝所述彈性波裝置的安裝基板，其特征在于，

所述彈性波裝置具備：

支承基板，其由結晶基板構成；

壓電膜，其直接或間接地形成在所述支承基板上；

IDT電極，其形成在所述壓電膜上；

絕緣層，其形成在所述支承基板上；

布線電極，其至少一部分形成在所述絕緣層上，并且所述布線電極與所述IDT電極電連接；以及

外部連接電極，其與所述布線電極電連接，

所述外部連接電極與所述壓電膜在從所述支承基板的厚度方向俯視觀察的情況下未重疊，

所述彈性波裝置經由所述外部連接電極而安裝于所述安裝基板，

所述安裝基板具有與所述支承基板的線膨脹系數(shù)不同的線膨脹系數(shù)，

所述支承基板中的所述壓電膜側的面為{100}面。

2.一種電子部件模塊，具有彈性波裝置以及安裝所述彈性波裝置的由印刷布線基板或LTCC基板構成的安裝基板，其特征在于，

所述彈性波裝置具備：

支承基板；

壓電膜，其直接或間接地形成在所述支承基板上；

IDT電極，其形成在所述壓電膜上；

絕緣層，其形成在所述支承基板上；

布線電極，其至少一部分形成在所述絕緣層上，并且所述布線電極與所述IDT電極電連接；以及

外部連接電極，其與所述布線電極電連接，

所述外部連接電極與所述壓電膜在從所述支承基板的厚度方向俯視觀察的情況下未重疊，

所述彈性波裝置經由所述外部連接電極而安裝于所述安裝基板，

所述支承基板為硅基板、鍺基板或金剛石基板，

所述支承基板中的所述壓電膜側的面為{100}面。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述絕緣層的線膨脹系數(shù)與所述支承基板的線膨脹系數(shù)之差，大于所述壓電膜的線膨脹系數(shù)與所述支承基板的線膨脹系數(shù)之差。

4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述彈性波裝置還具備隔離層、蓋構件以及貫通電極，

所述隔離層的至少一部分形成在所述絕緣層上，所述隔離層在從所述支承基板的厚度方向俯視觀察的情況下形成在所述IDT電極的外側，

所述蓋構件形成在所述隔離層上，

所述貫通電極形成在所述絕緣層及所述布線電極上，且與所述布線電極電連接，并且貫穿所述隔離層和所述蓋構件，

所述外部連接電極形成在所述貫通電極及所述蓋構件上，且與所述布線電極及所述貫通電極電連接。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述彈性波裝置還具備隔離層、蓋構件以及貫通電極，

所述隔離層的至少一部分形成在所述絕緣層上，所述隔離層在從所述支承基板的厚度方向俯視觀察的情況下形成在所述IDT電極的外側，

所述蓋構件形成在所述隔離層上，

所述貫通電極與所述布線電極電連接，且貫穿所述絕緣層和所述支承基板，

所述外部連接電極與所述貫通電極電連接，且在從所述支承基板的厚度方向俯視觀察的情況下與所述貫通電極重疊，并且形成在所述支承基板中的與所述壓電膜側的面相反的面?zhèn)取?/p>

6.根據(jù)權利要求4或5所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述蓋構件與所述支承基板的線膨脹系數(shù)差，小于所述安裝基板與所述支承基板的線膨脹系數(shù)差。

7.根據(jù)權利要求4至6中任一項所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述蓋構件的材料為硅。

8.根據(jù)權利要求7所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述蓋構件中的與所述支承基板側的面相反一側的面為{100}面。

9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的電子部件模塊，其特征在于，

所述安裝基板為印刷布線基板。