[發明專利]一種手機中板的鐳射整形方法

有效

• 申請號: 201811513813.5
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109794674B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 顏金軍;陳習文;黃喜明
• 申請（專利權）人: 東莞捷榮技術股份有限公司
• 主分類號: B23K26/00
• 分類號: B23K26/00;B23K26/70;H04M1/02
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種手機中板的鐳射整形方法，其特征在于，包括有以下步驟：

手機中板裝入定位治具對手機中板進行定位；

開啟鐳射機并對手機中板的鐳射整形區域進行鐳射整形，手機中板放置LCD屏幕的面朝向鐳射方向，所述鐳射整形區域位于手機中板安裝LCD屏幕位置的中間，所述鐳射整形區域為長方形區域；

激光鐳射產生的高強度激光束，焦點產生的溫度高，使手機中板表面氧化，使手機中板表層凸起的物質表面氧化后下塌，使手機中板的鐳射整形區域的平面度達到+0.05/-0.15MM的公差要求；

對手機中板鐳射整形區域進行清理；

檢測手機中板鐳射整形區域平面度；

其中，所述開啟鐳射機并對手機中板的鐳射整形區域進行鐳射整形的具體步驟為：

根據鐳射整形區域尺寸在鐳射機上進行編程；

開啟鐳射機，并對鐳射整形區域進行找正；

調用鐳射機內已經編好的鐳射程序；

鐳射機對手機中板的鐳射整形區域進行鐳射；

其中，在所述開啟鐳射機并對手機中板的鐳射整形區域進行鐳射整形的步驟中：

鐳射功率為25-30W，鐳射速度為≤3000mm/s；

其中，在所述開啟鐳射機并對手機中板的鐳射整形區域進行鐳射整形的步驟中：

鐳射軌跡方式為線狀軌跡，鐳射軌跡線的線距≤0.005mm。

2.根據權利要求1所述的手機中板的鐳射整形方法，其特征在于，所述對手機中板鐳射整形區域進行清理的步驟具體為：

對手機中板的鐳射面進行吹氣，去除多余雜質。

3.根據權利要求1所述的手機中板的鐳射整形方法，其特征在于，所述對手機中板鐳射整形區域進行清理的步驟之后還包括有步驟：

檢查鐳射整形區域，將鐳射整形區域不良的手機中板放入指定托盤并做好標識。

4.根據權利要求3所述的手機中板的鐳射整形方法，其特征在于，檢查鐳射整形區域為檢測鐳射整形區域是否有漏鐳雕現象。

5.根據權利要求1所述的手機中板的鐳射整形方法，其特征在于，所述長方形區域的尺寸為50x80mm，長邊方向與手機中板的長度方向一致，短邊方向與手機中板的寬度方向一致。