[發明專利]一種紫外LED封裝結構

在審

• 申請號: 201811510906.2
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN109449273A
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 王書昶;付杰;周合;唐余虎;況亞偉
• 申請（專利權）人: 常熟理工學院
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/64;H01L25/075
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張俊范

本發明公開了一種紫外LED封裝結構，包括基板和透光殼體，所述基板設有電路，所述基板上設有與電路連接的紫外LED芯片，所述透光殼體形成密閉空間，所述紫外LED芯片處于所述透光殼體內，所述基板上與所述紫外LED芯片相背的一側設有絕緣層，所述絕緣層通過銀膠粘帖于所述透光殼體的內壁，所述透光殼體形成的密閉空間外設置電連接觸點，所述電連接觸點與所述電路連接。本發明不采用有機封裝材料，避免封裝材料老化問題，采用銀膠將基板與透光殼體粘結，可以極大地將芯片的熱量傳輸出來，提高芯片的散熱性能。有效提高紫外LED的使用壽命及整體性能。

技術領域

本發明涉及一種LED封裝結構，尤其是涉及一種紫外LED封裝結構。

背景技術

紫外LED一般指發光中心波長在405nm以下的LED，LED業界通常將發光波長位于355～405nm時稱為近紫外LED，而短于300nm時稱為深紫外LED。按照更詳細的波段與用途，紫外LED可以分為以下三類：(1)UVA：波長在315～405nm之間，主要用于固化，醫療，印刷，光刻，驗鈔和光催化等；(2)UVB：波長在280～315nm之間，主要用于醫療，生物分析(如DNA)等；(3)UVC：波長小于280nm，主要用于殺菌(水、空氣凈化)和成分分析等。與傳統的紫外汞燈相比紫外LED光源具有：節能省電不含汞，光束角小所需要透鏡少，體積小不易碎，響應速度快，使用壽命長，發熱少使用安全等優點。然而，目前紫外LED的發光功率不高，除了芯片制作水平的提高外，封裝技術對LED的特性也有重要的影響。

通常情況下，紫外LED芯片封裝時都用環氧樹脂或者硅膠進行灌膠填充，但是環氧樹脂或硅膠在紫外光中出現性能惡化，因為樹脂中的苯環雙重結構容易被紫外光所破壞，加速了樹脂的氧化過程。常規的有機封裝材料在紫外光的作用下，其性能將發生改變，會加速其變黃老化，同時常規封裝的散熱性能較差，最終將導致紫外LED的性能及使用壽命下降。公開號為CN108321282A的中國專利公開了一種紫外LED封裝器件，包括分別設置于紫外LED兩側的上透光中空殼體與下透光中空殼體，上透光中空殼體的一側與下透光中空殼體的一側具有開口端，紫外LED包括基板和設置于基板上的多個晶片，基板的一側封閉上透光中空殼體的開口端且基板的另一側封閉下透光中空殼體的開口端，上透光中空殼體的內部與下透光中空殼體的內部真空或充滿填充氣體。上述封裝器件通過透光中空殼體與充滿其中的填充氣體或者真空來實現對紫外LED的封裝，整個封裝器件不使用有機封裝材料，能夠從源頭上完全克服紫外光對有機封裝材料的老化，從而有效提高紫外LED的性能并延長其使用壽命。

容易理解的是，由于LED芯片在發光過程中會產生熱量，熱量的積累會導致芯片使用壽命的下降。而上述現有技術中，上透光中空殼體的內部與下透光中空殼體的內部為真空，真空環境無法進行有效散熱將嚴重影響壽命。基于此原因，上述現有技術也做出了相應的改進，即在上透光中空殼體的內部與下透光中空殼體的內部充滿填充氣體，具體的填充氣體選擇折射率高、導熱系數高且不易發生發反應的氣體。該方案使得制造成本上升，同時上透光中空殼體與下透光中空殼體實際上是一個密閉空間，LED芯片表面是缺少氣體流動的，因此即便填充了高導熱氣體，其散熱作用仍然有限。

發明內容

針對現有技術的缺陷，本發明提供了一種紫外LED封裝結構，密閉透光殼封裝時紫外LED芯片的散熱問題。

本發明技術方案如下：

一種紫外LED封裝結構，包括基板和透光殼體，所述基板設有電路，所述基板上設有與電路連接的紫外LED芯片，所述透光殼體形成密閉空間，所述紫外LED芯片處于所述透光殼體內，所述基板上與所述紫外LED芯片相背的一側設有絕緣層，所述絕緣層通過銀膠粘帖于所述透光殼體的內壁，所述透光殼體形成的密閉空間外設置電連接觸點，所述電連接觸點與所述電路連接。

進一步的，所述基板呈折線形并形成若干槽結構，所述紫外LED芯片設置于所述槽結構的底面，所述絕緣層設置于所述槽結構的底面的背側。