[發(fā)明專利]一種通過機(jī)械加電解拋光制備微型EBSD試樣的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811500814.6 | 申請日: | 2018-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN111289317A | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李閣平;張英東;劉承澤;袁福森;韓福洲;穆罕默德·阿里;郭文斌;顧恒飛 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號: | G01N1/28 | 分類號: | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34;C25F3/26 |
| 代理公司: | 沈陽晨創(chuàng)科技專利代理有限責(zé)任公司 21001 | 代理人: | 張晨 |
| 地址: | 110015 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通過 機(jī)械 電解 拋光 制備 微型 ebsd 試樣 方法 | ||
本發(fā)明的目的在于提供一種通過機(jī)械加電解拋光制備微型EBSD試樣的方法,該方法通過將微型試樣鑲到鑲樣的中心形成較大尺寸的鑲樣樣品,進(jìn)行機(jī)械拋光后利用取樣平臺取出微型試樣,再利用專用夾持鑷子將微型試樣置于酸性電解拋光液中進(jìn)行特殊的電解拋光,清洗吹干后獲得金屬材料的微型EBSD試樣。該方法主要解決了微型試樣的難研磨、難拋光的問題,也解決了微型試樣在電解拋光過程中試樣緊固的問題,更通過特殊電解方法解決了微型試樣難電解拋光的問題。該方法操作簡單,制備效率高,制樣效果優(yōu)異,樣品解析率達(dá)90%以上,且適用范圍廣,適合推廣應(yīng)用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于金屬材料分析技術(shù)領(lǐng)域,特別提供一種通過機(jī)械加電解拋光方式制備微型EBSD試樣的方法。
背景技術(shù)
自從EBSD技術(shù)從20世紀(jì)80年代問世以來,EBSD技術(shù)逐漸在金屬材料、陶瓷材料、化合物等方面應(yīng)用。通過EBSD技術(shù)可以獲得材料的晶粒、亞結(jié)構(gòu)、析出相、微觀枳構(gòu)以及晶粒取向差等信息,對于材料的性能研究等具有重大意義,現(xiàn)在已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于不同結(jié)構(gòu)材料的微觀研究。
由于電子背衍射只發(fā)生在材料表層幾十納米的范圍內(nèi),所以對EBSD試樣的制備要求嚴(yán)格,即試樣表面平整,無應(yīng)力,無嚴(yán)重的腐蝕坑等,因?yàn)樵嚇颖砻娲嬖趹?yīng)力,晶格會發(fā)生畸變,那么EBSD系統(tǒng)就無法獲得準(zhǔn)確的菊池花樣,導(dǎo)致解析率降低;如果出現(xiàn)嚴(yán)重的腐蝕坑,那么就超過了電子背衍射的范圍,也容易導(dǎo)致樣品的解析率降低。因此,EBSD測試對樣品的制備要求比較高。其次,對于微型的EBSD試樣制備要求更高,難點(diǎn)在于對微型試樣的研磨、機(jī)械拋光,以及在電解拋光過程中微型試樣的緊固,同時(shí),難以找到最適合的微型EBSD試樣電解拋光工藝。
目前對微型的EBSD試樣制備方面的技術(shù)較少,而一般制備EBSD試樣的方法主要是通過機(jī)械拋光+電解拋光,對于常規(guī)的機(jī)械+電解拋光來說,往往微型的EBSD試樣很難制備。比如對于微型試樣而言,機(jī)械拋光不容易操作,而且由于試樣很小,所以對試樣的電解拋光方面的要求更加嚴(yán)格,即微型的EBSD試樣制備困難,往往制備的樣品效果不佳。對于申請?zhí)枮?01710695101.9的發(fā)明專利提供了一種多相合金EBSD分析測試試樣的制備方法,該方法的制樣成本高,必須在離子減薄儀上才能制備樣品,而且制樣時(shí)間長,制樣效率低。
通過機(jī)械+電解拋光方式制備微型EBSD試樣的方法,是一種簡單、容易操作,低成本,制樣效率高的制備微型EBSD試樣的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種通過電解拋光制備微型EBSD試樣的方法。該方法主要解決了微型試樣的難研磨,難拋光的問題,也解決了微型試樣在電解拋光過程中試樣緊固的問題,更通過特殊電解方法解決了微型試樣難電解拋光的問題。該方法適用范圍廣,既適合小尺寸的微型試樣也適合大尺寸的樣品的制備。
本發(fā)明技術(shù)方案如下:
一種通過電解拋光制備微型EBSD試樣的方法,具體步驟如下:
①鑲樣:
將金屬材料切割成微型試樣2,在鑲樣機(jī)上把微型試樣2鑲到鑲樣的中心,最終形成鑲樣樣品1,鑲樣的時(shí)候不要把樣品鑲太緊;
②開V字型凹槽:
在垂直于微型試樣2的方向上在鑲樣樣品1上對稱開兩個(gè)V字型凹槽3(如圖1所示),微型試樣2位于兩個(gè)V字型凹槽3的尖端連線上;
③對鑲樣樣品1進(jìn)行機(jī)械拋光;
④在微型試樣2表面貼保護(hù)層(如采用透明膠貼于表面),以防止砸開鑲樣樣品1時(shí)刮傷微型試樣2;然后將鑲樣樣品1置于取樣平臺內(nèi);
⑤將鑲樣樣品1緊固在取樣平臺內(nèi),對鑲樣樣品1中心施加向下的力,使樣品沿V字型凹槽3尖端連線方向斷開,取出微型試樣2,去掉其上的保護(hù)層;
⑥將微型試樣2置于超聲儀上,用酒精超聲振動清洗;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院金屬研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院金屬研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811500814.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





