[發明專利]光取出結構、其制作方法及發光器件

有效

• 申請號: 201811498138.3
• 申請日: 2018-12-07
• 公開（公告）號: CN109585685B
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 顧辛艷
• 申請（專利權）人: 納晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;路秀麗

本發明提供了一種光取出結構、其制作方法及發光器件。其中，制作方法包括以下步驟：提供基底；利用第一溶液在基底上濕法制作第一膜層，其中，第一溶液包括材料A和溶劑B；對第一膜層進行干燥，形成具有多孔結構的第一膜層，具有多孔結構的第一膜層即為光取出結構。通過在基底上濕法形成無規則的多孔結構的膜層，或者，利用該無規則的多孔結構進一步設置無規則的凸起型的光取出結構，這樣的光取出結構不僅有助于提高提升發光器件的發光角度均勻性，而且還有利于提高發光器件的光效。

技術領域

本發明涉及發光二極管領域，具體而言，涉及一種光取出結構、其制作方法及發光器件。

背景技術

有機發光二極管(OLED)經過近30年的發展，在材料開發和器件結構設計上取得了豐富成果，OLED在顯示，尤其高端智能手機上已經開始大規模商用，照明領域由于價格及壽命等方面的原因，市場還未形成，但無論用于顯示還是照明，OLED器件的效率都有待提高，受器件層狀結構特點的限制，電流驅動下產生的光子只有約20％的能夠順利突破射出器件被人眼捕獲，其余光子都在器件內部耗散，生熱，不僅浪費電能，也影響器件壽命。近幾年來，因廣色域、高亮度等特點備受矚目的量子點發光二極管(QLED)同樣也是層狀結構，要想實現商業化，通過有效的光取出技術來提高器件效率同樣十分關鍵。

根據界面修飾的器件部位不同，光取出技術分為外光取出技術和內光取出技術。其中，外光取出技術主要是通過對襯底外表面進行修飾，利用散射或會聚光束原理抑制界面全反射。常用方法有表面粗化、微透鏡陣列、表面圖案化薄膜以及表面散射介質層等。這些外部結構只能耦合陷于襯底模式的光。內光取出技術則可以提取如ITO-有機層波導模式和表面等離子體基元模式的光。外光取出技術因工藝簡單，且可以獨立與有機層加工而廣泛被應用。而內光取出涉及到器件內部結構，調控相對復雜，但內光取出可以獲得較高的器件效率提升。

但無論是外光取出還是內光取出，現有技術所修飾的界面大多采用光刻等方式進行制作來實現光取出，雖可以提高器件效率，但造價昂貴，而且由于其規整的結構，導致對角度均勻性毫無改善，而無論是顯示還是照明領域，顯色的一致性都極其重要。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種光取出結構、其制作方法及發光器件，以解決現有技術中的光取出結構難以改善相應器件的出光角度均勻性的問題。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種光取出結構的制作方法，該制作方法包括以下步驟：提供基底；利用第一溶液在基底上濕法制作第一膜層，其中，第一溶液包括材料A和溶劑B；對第一膜層進行干燥，形成具有多孔結構的第一膜層，具有多孔結構的第一膜層即為光取出結構。

進一步地，在形成具有多孔結構的第一膜層的步驟后，制作方法還包括：在具有多孔結構的第一膜層上設置材料C，形成第二膜層，其中部分材料C通過多孔結構設置在基底上；以及去除第一膜層以及設置在第一膜層表面上的第二膜層，保留位于基底上的材料C形成凸起結構，凸起結構即為光取出結構。

進一步地，第一膜層的厚度大于第二膜層的厚度，第一膜層的厚度為10nm～10μm。

進一步地，采用溶劑沖洗或膠帶剝離的方式去除第一膜層及設置在第一膜層表面上的第二膜層；優選地，溶劑沖洗采用第一膜層的良溶劑進行沖洗。

進一步地，基底為功能性膜層、電極層或非功能性的載體；優選地，功能性膜層選自空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層及電子阻擋層中的任意一種；優選地，非功能性的載體為透明基材。

進一步地，溶劑B包括第一沸點溶劑，第一沸點溶劑選自沸點為80℃～300℃的有機溶劑中的一種或多種。

進一步地，溶劑B還包括第二沸點溶劑，第二沸點溶劑選自沸點為60℃～120℃的有機溶劑中的一種或多種；優選地，溶劑B中第一沸點溶劑與第二沸點溶劑的體積比為95:5～5:95。

進一步地，第一沸點溶劑的熔點≥15℃。